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  • 简介:摘要:随着存储技术的不断发展,当今主流的三种DRAM、SRAM和Flash非易失性存储的技术已经接近存储的物理极限。面对传统存储的尺寸缩减已经面临极限的问题,因此发展高性能和高密度的新型非易失存储成为了半导体存储行业的研究焦点。电阻随机存储展现出的小尺寸,高擦写速度、低能耗、高耐久性和与互补金属氧化物半导体工艺兼容等优异性能,被视为最有应用前景的下一代非易失性存储,进而得到广泛的研究。本文主要围绕阻变随机存储的发展进程、专利申请人、区域分布和技术趋势几个方面对电阻式随机存储的专利申请情况进行研究。

  • 标签: 新型存储器 尺寸 极限 阻变存储器 专利申请
  • 简介:在研究静态随机存储故障模型以及常用功能验证方法的基础上,提出采用MarchSOF算法结合故障注入的EDAC测试程序作为宇航用带EDAC功能SRAM存储的验证方法。该方法将MarchSOF算法扩展为32位字定向算法,同时增加数据保持故障以及EDAC功能的测试,可以对宇航用SRAM进行全方位功能验证。采用实际电路,对该方法进行实现和验证,验证结果表明了方法的可行性和有效性。

  • 标签: 静态随机存储器SRAM 错误检测与纠正EDAC 功能验证 MARCH算法
  • 简介:半导体存储一般由存储体、地址译码驱动、读/写放大器和控制电路组成,是一种能存储大量信息的器件,它是由许多存储单元组成的。半导体存储的测试有功能测试、直流参数测试、交流参数测试,而功能测试和交流参数测试对存储来说是至关重要的。SRAM(静态随机存储)的功能测试是通过算法图形发生产生不同的测试图形,对被测器件各个不同存储单位进行读写操作,以检查其功能。主要讲述了SRAM交流参数测试原理及其测试关键技术,介绍了SRAM交流参数测试的故障模型。通过研究SRAM交流参数测试图形向量,给出了SRAM交流参数测试图形向量的优化方法。

  • 标签: 存储器 动态参数 测试图形
  • 简介:相变存储作为一种新型的基于硫系化合物薄膜的随机存储,被认为最有可能在不远的将来成为主流的非易失性存储。本文将对相变存储的基本概念、原理、发展现状及产业化趋势作以介绍。

  • 标签: 相变存储器 发展
  • 简介:深圳易拓科技有限公司近期推出的Gstor安全存储具备了基于硬件芯片级别的系统还原和数据加密功能。从外观上看,它和普通硬盘并没有太多区别.但它提供了四种安全存储方式.即普通存储方式、保密存储方式,保护存储方式和保护加保密存储方式。用户使用后三种方式,就可以轻松实现对系统内重要数据的备份、加密和还原。

  • 标签: GSTOR 安全存储器 存储方式 深圳易拓科技有限公司
  • 简介:在并行存储中,访问的冲突是存储系统性能提升的瓶颈.对于任意一个整数n,n阶(n×n)的二维数组(矩阵),能不能用n个存储体实现无冲突存储?本文对二维数组进行了探讨,分析了两种可行性较大的存储方案,并对其中第二种方案进行了程序举例,最后对两种方案进行了进一步分析和比较.

  • 标签: 无冲突访问 并行存储器
  • 简介:摘要PLC的储存是用来存放程序和数据的,分为系统程序存储和用户程序存储。系统程序存储用来存放不需要干预的系统程序。用户程序存储是用来存储用户程序,通常分为程序存储区和数据存储区,程序存储区用来存储用户程序,数据存储区用来存储运算数据、中间运算结果和各种软元件的状态等。本文通过对PLC的存储的介绍,以西门子7-300/400的具体应用进行了深入分析和研究。

  • 标签: PLC 存储器类型 存储空间分配 存储容量 7-300/400
  • 简介:NOR型FLASH存储因其能够长久地保持数据的非易失性(Non-Volatile)特点,被广泛用作各类便携型数字设备的存储介质,但由于此类器件的编程及擦写均需写入特定指令,以启动内置编程/擦除算法,从而使得采用自动测试系统对其进行测试也具有较高难度。因此,研究NOR型FLASH存储的测试技术,并开发此类器件的测试平台具有十分重要的意义。首先以AMD公司的AM29LV160DT为例,介绍了NOR型FLASH存储的基本工作原理,接着详细阐述了一种采用J750EX系统的DSIO模块动态生成测试矢量的方法,从而能够更为简便、高效地对NOR型FLASH存储的功能进行评价。

  • 标签: NOR型FLASH DSIO
  • 简介:<正>世纪之交,世界闪速存储(flashmem-ory)市场发展迅猛,新款产品获得了越来越广泛的应用,除了可以应用于数字摄像机和移动电话之外,还可以应用于录音机和其它音响系统。据著名的美国国际市场调查公司(Dataquest)的预测报告显示,到2005年,世界闪速存储的市场规模,有望超过目前的主流产品DRAM。

  • 标签: 闪速存储器 三星电子公司 数字产品 固态驱动器 硬盘机 存储卡
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  • 简介:市场调查机构ICInsights最新报告指出,DRAM与NAND快闪存储等产品在未来5年内的年平均均复合增长率(CAGR)将达到7.3%的水平,产值也将从2016年的773亿美元,扩增至1099亿美元,将会是所有产品成长最大的项目。在未来5年的预测区间内,将以存储的成长力道最为强劲,模拟IC的成长比率5.2%居次。

  • 标签: 快闪存储器 调查机构 NAND DRAM 成长力 增长率
  • 简介:"存储与CPU的连接"是存储系统的教学重点.针对学生的实际情况设计出教师引导、学生参与的"互动式"教学过程,这有助于解决教学中的一些难点,如存储容量的扩展以及存储与CPU之间的地址线、数据线、控制线的连接等.

  • 标签: 存储芯片 存储器 地址线 数据线 控制线