简介：实验评估了600V，4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌，SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用，作者考虑选用一种300W，按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果，特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果，本文表明在功率因数校正器设计中，采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。

简介：提出了一种基于扰动信号、且可线性化的非线性系统设计方案，该方案旨在改善带高频逆变器负载的二极管整流电路的功率因数。文中从原理及实验两方面对该方案进行了详细分析，并给出了实际的电路设计方法。

简介：参与了26年PCIM（功率变换与运动智能控制）会议，离开之前，我（1994-2004年的欧洲PCIM会议董事长编者）愿意与大家共享我的最后一篇文章，它是关于对PCIM的三个领域的认识：功率变换，运动智能控制，电能质量和能源管理，还有未来趋势。

简介：1前言高速开关和现代封装技术要求变革电子产品传统的功率分配方法——电缆线束、铜片总线和印刷电路板上的电源线与地线,期望功率分配线的电感小,电阻低,电容大,占用空间小。图1b给出的迭层结构功率母线(BusBars)已应用于大型计算机系统、通信和航空电子学等的功率分配子系统,新型通用功

简介：测量IGBT逆变器的输出电流需要电流传感器。按输出功率的不同，目前已有一些熟知的测量方案。在逆变器的印刷电路板(PCB)上放置取样电阻，因系统成本低，电流测量精确而被广泛采用，但运行中取样电阻的功耗限制了这种方法的使用，因而对于较大的功率必须采用其他方法。现在有一种技术，即把电流取样电阻放置到IGBT模块的基板上，使其尽可能地靠近散热器，这种技术可以用于最高达35kW等级的电流测量，但实际上在更大功率的测量时仍采用目前应用的电流传感器法。

简介：国际功率半导体器件与功率集成电路会议(InternationalSymposiumonPowerSemiconductorDevicesandICs．，缩写为ISPSD)是美国电气与电子工程师协会主办的不带地区色彩的国际性学术会议。例如，2001年会议收到论文的地区分布比例为欧洲23％，北美25％，亚洲14％，日本38％。会议地点在北美、欧洲、日本三地轮流举行，每年依序更换，

简介：功率半导体器件（亦称电力电子器件）、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的＂新一代信息产业＂的基础和关键技术。同时,功率半导体器件还破认定为融合工业化和信息化的最佳产品。小久前出版的《功率半导体器件基础》一书,对功率半导体领域相关专业的本科生、研究生作为入门教材或专业研究人员、工程师作为案头参考资料,

简介：1出版信息清华大学蔡宣三教授和北京理工大学龚绍文教授合著的《高频功率电子学》一书已由中国水利水电出版社2009年6月在北京出版。

简介：飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)凭借其卓越的电源技术优势推出三种全新“绿色”飞兆功率开关(FPS)产品，针对各式应用的100W至250瓦功率范围开关电源(SMPS)要求，包括彩电、DVD接收器、音频设备及等离子体平板显示器等。随着新型FSCQ系列的推出，飞兆半导体可提供满足1W～250瓦应用要求的完整绿色FPS产品系列。

简介：本文根据2004年国际功率半导体器件与功率集成电路会议(ISPSD’04)的论文内容对功率集成电路制造技术的近期发展进行了简单的概述。

简介：当今电力电子系统已在日常生活中得到越来越广泛的应用，然而，在其背后所蕴含的一些尖端技术却被人们所忽视。以写字楼的电梯或百货公司的电动扶梯为例，只有在出现故障时（比如电动扶梯突然停止运行或是有人被困在电梯中），人们才会注意到电梯或电动扶梯的运行系统。这类故障不仅给您带来了很多麻烦，而且还会提高检修和维护的成本。遗憾的是，很多数电梯制造商只会夸耀其产品的可靠性超过99％，却对系统故障可能给客户企业形象造成的损害避而不谈。不要忘了，实际的可靠性才是确保正常运行的必要条件。

简介：无论对哪种封装，新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM（Ron＊Qg）——低于6ΩnC，这就注定了此器件将被用于硬开关AC／DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构（ITTF）的功耗。为尽量保证比较有意义，我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入／输出条件。结果表明，与次好的MOSFET移相ZVS桥相比，新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。

简介：本文叙述一项名为＂用于有源设备中的电子元器件（EfA）＂的合作研究项目的一些研究成果。采用内燃机的冷却线路对功率电子设备进行冷却,内燃机的温度能达到105℃（最恶劣情况能达到125℃）。所以,功率器件必须能经受住高达200℃的高温。挑战性的主要指标是功率循环能力。随着封装工艺的改进,这个目标是能够实现的。采用系统功率循环试验激发各种失效模式,并评估所采取的改进措施的效果。已发现,当采用新的内互连工艺,功率循环寿命能提高100倍之多。

简介：本文提出了一种新的控制方案,最大限度地减少风力发电系统输出功率产生的电网电压波动。这种控制方案可以使风力发电系统抑制不同的电网条件下电压波动。使用这种控制策略的风力发电系统通过计算其输出功率的波动和电网电压波动之间的相关性来在线估计阻抗比R/X。通过输出最佳的无功功率,其值等于阻抗比与发电功率相乘,可有效地抑制电压波动。通过抑制电压波动,使其低于电网规范中所规定的可接受水平,可以提高接入给定电网的风力发电系统容量。仿真及与电网模拟器相连的小功率实验结果验证了所提出的控制方案。

简介：日本东芝公司（Toshiba）日前宣布，一种被命名为DTMOS的新式功率MOSFET，由于采用最新的超结合技术，DTMOS的导通电阻（RDSon）仅相当于传统的MOSFET的40％左右，可降低功耗。在采用这项技术的系列产品中第一个产品是0TK15A60S，它的市场定位于电视机电源、家用电器、交流电适配器、照明镇流器。

简介：她在报告中回顾了功率变换技术的发展历史，对如何获得高效、优波负载适应性和强鲁棒性的综合特征进行了阐述。效率、优波、负载鲁棒性以及对负载尖刺的危害等问题的合理解决，关键是如何得到与输出波形同步、同形、同频、同相的纹波供电电压波形，并始终跟随其幅频变化，保持线性功率管工作在临

简介：

简介：过去几年里，中小功率的UPS电源设计已经越来越多的采用无变压器电路原理，这不仅使得成本进一步优化，而且将给制造技术带来全新的面貌。随着UPS电源向高功率领域扩展，这一电路原理还不能完全的适用，还需要增添新的原理。本文介绍了关于这一新的电路原理及其控制结构，它使无变压器UPS电源的新潜力得以发挥。文章给出了这一技术的基本层面，并展示了一系列高功率UPS电源的新的研究成果。

简介：InternationalRectifier（IR）公司日前宣布，他们已成功研制出具有革命意义的基于氮化镓（GaN）材料的新一代功率器件技术平台，该平台将为诸多领域内的关键应用提供强力支持。

简介：介绍了大功率IGBT模块的新概念，以及为实现小型化和高可靠系统时大功率应用的栅驱动技术。采用新型模块，可使体积和重量大约减小50％。使用通常的栅驱动方法驱动新型模块，也能简化设计并得到大功率电子系统。IGBT芯片的正面采用了沟槽栅结构，背面采用了电场截止层结构。未选择栅沟槽的FSIGBT芯片，其电流的不均衡率是10％或更小。采用通常的栅驱动单元有可能均衡与栅驱动单元并联的IGBT的开关波形。这些技术将使大容量的应用变得容易。