简介：利用同步辐射X光衍射技术，对（La1-xBix)0.5Ca0.5MnO3(x=0.2,0.3,0.4）中存在的Jahn-Teller畸变，进行了原位的高压研究。实验表明在外加压力的作用下，能有效地影响到晶格中Mn-O键长和Mn-O-Mn键角的变化，样品中的晶格畸变有所减小。并且对在晶格中存在的两种不同的畸变模式Q2和Q3，在外加压力的作用下的变化规律进行了讨论。由于这两种不同的畸变模式在受到外力作用时，表现形为不一样，导致了位于a-b基面上的Q2畸变模式的消失，并且导致Q2畸变模式消失的压力点随掺杂浓度的增加而增加。

简介：通过原位下的高压同步辐射X光衍射技术，对具有钙钛矿结构的La0.4Bi0.1Ca0.5MnO3中存在的Jahn-Teller畸变，进行了研究。实验表明在压力的作用下，样品中的畸变有所减小，超于理想的立方结构，并且在1．4GPa左右存在一个过渡相。

简介：对磁控溅射法在YBa2Cu3O7-δ缓冲层及SrTiO3(001）衬底上生长的Pb(Zr0.52Ti0.48）O3薄膜材料，应用X射线散射倒空间作图法研究了薄膜在垂直（a⊥）和平行（a||）于表面方向的晶格常数与其厚度的关系。研究结果表明，随着PZT厚度的增加，a⊥增加，而a||减小。这种晶格常数的变化，不能用一般的薄膜弹性畸变来解释，我们归结为晶体的尺寸效应起了很大的作用。X射线衍射的测量结果表明，随着PZT厚度的增加，其晶粒尺寸也增加。

简介：我们用全外反向掠入射衍射，研究了BaTiO3/SrTiO3(BTO/STO）超晶格（SLs）的界面应变和应变驰豫行为。在总厚度超过临界厚度的情况下，应变驰豫机制依赖于SLs中的单层厚度。当其小于临界厚度时，SLs整体驰豫；大于临界厚度时，SLs在其两组元界面上分层驰豫。但SLs总水平应变量均随着单层厚度的减小而增大。最小能量原理计算已支持上述结果。

简介：低温下用MBE方法生长了Ge／Si超晶格。X射线近边吸收限精细结构研究表明，Ge与Si再Ge／Si界面处存在化学混合。X射线反射及横向散射研究表明，Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称，下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构：这种组分结构可以用一平均成份的SiGe合金层加以拟合，从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度。旋转样品进行的X射线散射研究表明，这种SiGe的混合是各向同性的，这与透射电子显微镜的研究结构相一致。

简介：

简介：测定了WO3／4，4'－BAMBp超晶格薄膜光致变色前后的XPS光谱，发现薄膜在光致变色后有W^5+生成；同时，氮元素由两种形态变化成三种形态，得到了与无定形WO3不同的光致变色机理。