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兵器科学与技术
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钝化离子注入半导体探测器研究

简介：介绍了钝化离子注入半导体探测器的工作原理和制备工艺，两种探测器制备的灵敏面积分别为10mm^2和25mm^2，辐射性能测试实验结果表明该探测器具有响应线性度好、噪声低、偏压低等优点，反向偏压为3V时，剂量率监测范围为：1×10^-3～1×10^3cGy／h．
标签：钝化离子注入半导体探测器工作原理制备工艺辐射场监测

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半导体光催化剂负载技术评述

简介：从载体材料和半导体光催化剂的负载方法2方面对半导体光催化剂负载技术进行了评述．
标签：半导体光催化剂载体材料负载方法溶胶-凝胶法

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半导体辐射探测器的研究进展

作者：周春芝
学科：兵器科学与技术 > 武器系统与运用工程
创建时间：2004-03-13
出处：《防化研究》 2004年第3期

简介：简要介绍了半导体辐射探测器的发展，并介绍了部分新型探测器的结构原理和特点。
标签：辐射探测器半导体结构原理

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用于微电子化剂量仪的半导体探测器特性研究

简介：给出了用于微电子化剂量仪的半导体探测器的剂量特性，研究工作表明：该探测器可以和微电子化电路结合，并在常温低偏压（1－3V）下工作，且其灵敏度可在68－316cps/(R/h)之间变化，对微电子化剂量仪中电子线路的设计，奠定了基础。
标签：半导体探测器灵敏度剂量特性微电子化剂量仪

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ESD对微电子器件造成潜在性失效的研究综述

简介：静电放电(ESD)潜在性失效问题是当前微电子工业面临的可靠性问题之一,并且越来越引起人们的重视.国内外学者在微电子器件ESD潜在性失效的检测及探讨失效机理方面的研究取得了较大的进展.研究表明:MOS电路等微电子器件,在ESD作用下确实存在潜在性失效问题.因此,开展ESD潜在性失效研究具有重要意义.
标签： ESD 微电子器件潜在性失效

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VXI总线消息基器件数据低寄存器定位监视电路设计

简介：结合工程需要设计了消息基器件数据低寄存器定位监视电路,满足了总线和本地CPU对数据低寄存器读写时的时序关系,给出了部分实现电路和状态转移流程图.
标签： VXI总线电路设计寄存数据监视器件

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