简介:通过对常用黏结剂中杂质元素含量的测定,选择硬脂酸作黏结剂,研磨压片制备样品,用X射线荧光光谱(XRF)法测定铝用炭素阳极材料中硫、钒、钠、钙、硅、铁、镍、钛、铝、镁、磷、铅、锌、铬、锰的含量。通过实验确定了最佳的样品和黏结剂比例为12g炭素试样加入2g硬脂酸,研磨时间为20s。测定铅元素时,选择一点法扣除背景,通过谱线强度数据确定使用PbLβ1作分析线。用铝用炭素阳极材料系列标准样品制作校准曲线,用铑靶康普顿散射内标校正铁、镍、铅、锌、铬、锰等元素,其余元素用经验系数法校正。精密度实验表明,样品中各元素测定结果的相对标准偏差(RSD,n=11)一般在8%以下,最高的钠元素和钛元素也在10%左右,未知样品的检测结果与标准结果没有显著性差异。
简介:摘要薄壁注塑成型技术不同于普通注塑成型,随着对塑料制品的质量、成本、性能要求越来越高,在普通注塑成型的基础上,薄壁注塑成型技术逐渐发展起来。由于塑料制品的薄壁化,便于提高生产效率和降低成本,质量更轻且方便用户携带,塑件越薄,在充填过程中熔体的冷却速度越快,在较短的时间内就会固化,加大塑件成型难度,直接影响塑件成型质量。薄壁注塑作为一种新型的模具产品生产工艺,其主要具有加工周期短、生产成本低和利润好等优点,但也存在塑件的可成型性差、型腔填充不完全、翘曲变形等问题。本文主要就薄壁塑件的注塑成型缺陷以及质量的控制进行详细探究,希望在此次的理论研究下,能有助于解决实际问题。
简介:O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白(中科院半导体所.北京(100083))//半导体学报.—1998,19(5).—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15(方舟)O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明(中科院半导体所.北京(100083)),周必忠,肖方
简介:以机载星敏感器为代表的高精度卡塞格林光学系统对能量集中度具有很高的要求。百叶遮光罩以其低遮拦比、高杂散光抑制能力、结构稳固等优势应用于卡塞格林光学系统中,然而仅以遮拦效应来评估百叶遮光罩对系统能量集中度的影响存在较大误差。从圆孔的夫琅和费衍射出发,推导具有百叶遮光罩的卡塞格林光学系统的衍射强度分布,证明了百叶遮光罩的衍射效应会对卡塞格林光学系统能量集中度产生较大影响。通过在Zemax中建立的光学系统模型分析表明,百叶遮光罩的衍射效应引起卡塞格林光学系统能量集中度的降低值是遮拦效应的3倍以上,并且叶片数量或厚度的增减都会引起能量集中度的显著下降。为百叶遮光罩的设计提供了理论依据和精确模型。
简介:O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东(中科院上海技物所),金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生(中科院长春物理所)∥红外与毫米波学报。—1995,14(4)。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增