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4 个结果
  • 简介:应用程一玻恩超导双带理论,分析了压力诱发的超导再进入现象,指出压力使费米面和上面空带的两能级分裂形成靠近的两能带,电子从费米面迁移到上面能带,造成动量空间中上面能带布里渊区电子的再次不对称分布,而产生新的超导相。

  • 标签: 超导双带理论 布里渊区 对称破缺 晶格能 交换能
  • 简介:针对评委聘请问题建立了综合评估模型,得出了各位评委的打分能力的评价分数,分析了评委淘汰的各种原因。就打分机制的公平性评价问题,定义了公平偏移度,建立概率统计模型,量化给出了几种打分机制的公平性的评价结果。

  • 标签: 综合评估模型 公平偏移度 概率统计模型 打分机制的公平性
  • 简介:为解决企业集团总部与子公司存在着基于绩效信息的博弈问题,本文通过拓展基本的委托代理模型,分析子公司操纵绩效信息的条件及绩效信息操纵程度的影响因素。结果表明,当总部对子公司激励采用固定工资制或总部可完全监督时,子公司不操纵,并且总部应从提高监督的有效性、子公司操纵业绩的惩罚系数、子公司绩效操纵难度系数、盈利能力和降低努力成本系数五个方面着手,降低子公司绩效信息操纵程度。集团据此建立绩效信息管理机制,提高集团绩效信息管理效率和效果。

  • 标签: 管理科学 绩效管理机制 委托代理 绩效操纵
  • 简介:采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

  • 标签: 半带电压漂移 低剂量率辐射损伤增强 MOS电容 总剂量