简介:使用像增强型电荷耦合器件(intensifiedchargecoupleddevice,IccD)相机系统时,需要对像增强器的选通时刻、选通宽度以及增益大小进行控制。将现场可编程逻辑门阵列(fieldprogrammablegatearray,FPGA)和专业数字延时芯片AD9501配合使用,可以产生延时和脉宽均可大动态范围、高分辨数字调节的脉冲,同时保证延时精度,从而精确控制像增强器的选通时刻和选通宽度;利用FPGA控制数字电位器MCP42010,调节像增强器微通道板两端高压,可实现对像增强器增益的控制;采用RS485总线方式完成上位计算机与FPGA的远程通信,可实现程控功能。程控电路输出的选通脉冲,其延时动态范围为110ns~4.3ms,脉宽动态范围为0~4.3ms,分辨率均为65ps,脉冲延时抖动的均方根不大于147ps;实现了256挡位的增益调节。
简介:讨论了几何分布产品在步进应力加速试验TFR模型下寿命分布.给出了其寿命分布函数步进形式,在截尾样本场合利用极大似然估计方法和拟矩估计方法求出了未知参数的点估计,最后利用计算机模拟考察了说明本文方法的可行性.
简介:讨论了几何分布产品在步进应力加速试验TFR模型下寿命分布,给出了其寿命分布函数步进形式,在全样本场合利用极大似然估计方法和矩估计方法求出了未知参数的点估计,最后利用计算机模拟说明本文方法的可行性。
简介:通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金/硅界面的输运过程。其中,对X射线产生的次级电子在介质中的输运,采用了单次碰撞直接模拟方法;对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面,分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下,金/硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明:X射线能量为几十至几百keV时,剂量增强效应最明显,最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金/硅界面的距离增加而增加;金的厚度影响界面附近剂量增强效果,当X射线能量不变时,剂量增强系数随金的厚度增加而增加,并趋于饱和值。
简介:为了明确团聚现象及表面性质对ZnS纳米材料发光性质的影响,采用SiO2对ZnS材料进行了表面修饰,并对ZnS及ZnS/SiO2复合材料的光学性质进行对比研究。采用吸收光谱分析了包覆前后光吸收性质的差异,发现SiO2包覆后ZnS纳米材料的带边由333nm红移至360nm。为了研究ZnS纳米材料与ZnS/SiO2纳米复合材料的光发射性质,分别对含纳米材料的水溶液样品及粉末样品的发光光谱进行了采集。对比研究的结果表明,SiO2包覆后ZnS纳米材料在蓝紫光区的发光得到了明显增强。以氙灯作为激发光源所获得荧光光谱显示ZnS/SiO2粉末样品发光的积分强度增大为原来的17.5倍,但相同条件下针对溶液样品的测试结果显示其发光强度只增大了1.1倍,这种增强可用SiO2的存在抑制了ZnS纳米粒子间的团聚来解释,且这一推断由325nm紫外激光激发下获得的光致发光数据进行了验证。