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  • 简介:新能源电池一直是科研创新的重点。日前,方形软包装5Ah磷酸锂/石墨锂离子电池制备技术和科技成果在北京通过鉴定。天津大学教授唐致远说,与目前常规使用的电池相比,该电池容量高、安全性好、循环使用寿命长,尤其是在低温条件下性能优良。

  • 标签: 锂电池 磷酸 高稳定 循环使用寿命 锂离子电池
  • 简介:采用共沉淀法合成了Mg/Al物质的量比为2:1的水滑石(LDH),773K煅烧得到其煅烧产物(CLDH),研究了CLDH对酸根的吸附性能,分别考察了吸附剂用量、酸根浓度、吸附时间和温度等因素对酸根吸附效果的影响,并探讨了吸附热力学。结果表明,CLDH对酸根有很强的吸附能力,在293~313K温度范围内,CLDH的最大吸附量随着温度的升高而逐渐增大(79.8~92.9mg/g),吸附等温线很好地符合Langmuir方程(Rs〉0.999),吸附自由能(△G0)为-2.47~-3.81kJ/mol,是自发的物理吸附过程;CLDH吸附酸根为熵增过程,熵变为67.23J/(mol.K)。

  • 标签: 水滑石 钒酸根 吸附 热力学
  • 简介:为提高出土脆弱陶质文物的强度及抗风化能力,采用丙烯酸盐配合溶胶(AMC)为加固材料,对考古遗址出土的脆弱陶质文物进行了加固试验。采用扫描电镜-能谱、X射线衍射仪、同步热分析、万能材料试验机对加固前后陶质文物的成分、结构及力学性能进行了表征。结果表明:采用AMC加固后的陶质试样其弯曲载荷提高了106.5%,耐盐蚀循环、抗冻融能力循环次数均提高约1倍,且具有较好的热稳定性能,是一种性能优异的脆弱陶质文物保护新材料。

  • 标签: 丙烯酸盐配合物 水溶胶 脆弱陶瓦 加固
  • 简介:VO2是一种新型功能材料,在68℃附近可以发生低温半导体相与高温金属相之间的可逆相变。在光、热的激励下,金属-半导体相变致使光学透过率、电阻率以及磁学等特性发生突变,基于此特性,VO2有着广泛的用途。因此,具有良好性能的VO2薄膜的制备工艺、光电特性成为研究热点。综述了VO2薄膜的基本相变性能,介绍了国内外二氧化热致变色薄膜制备的研究进展。

  • 标签: VO2薄膜 金属-半导体相变 制备方法
  • 简介:2018年以来,河北钢铁集团有限公司承钢公司(以下简称“河钢承钢”)加快推进承德钛新材料产业基地建设,全面提升高端产品生产能力。目前,该公司已经具备国家标准涵盖的VAl55、VAl65、VAl75、VAl85等牌号全系列铝合金生产能力。

  • 标签: 钢铁集团 生产能力 钒铝合金 产业基地建设 国家标准 新材料
  • 简介:与其他二次电池相比,单斜结构的磷酸锂(Li3V2(PO4)3)因具有能量密度大、安全性能优良、稳定性良好、锂离子扩散通道大等优点,成为锂离子电池正极材料的研究热点之一。综述了近年来Li3V2(PO4)。的主要制备方法及其制备改性的研究现状,并且对其发展趋势进行了展望。

  • 标签: 锂离子电池 正极材料 LI3V2(PO4)3
  • 简介:利用异烟酰肼和2-羟基-3-甲氧基苯甲醛(邻香草醛)合成了一种新的Schiff碱-2-羟基-3-甲氧基苯甲醛异烟酰腙(L),并制备其Cu(Ⅱ)、Cd(Ⅱ)、Zn(Ⅱ)的配合。利用元素分析、摩尔电导、红外光谱、紫外光谱、差热分析等手段对该Schiff碱及其配合进行了表征,得到了Schiff碱及其配合的推测组成,并研究了配体和配合的荧光光谱,结果表明锌和镉的配合与配体相比具有较好的荧光特性。

  • 标签: 异烟酰腙 SCHIFF碱 配合物 荧光
  • 简介:Wallpaper全年12期创刊于1996年,是一本集室内设计、工业设计、建筑、旅游等全面时尚品位杂志。这里可以看到世界顶级的建筑、室内装璜、高级厨房厨具、美食甚至时装的介绍。

  • 标签: 出版物 室内设计 工业设计 室内装璜 建筑 厨房
  • 简介:创刊于1996年,是一本集室内设计、工业设计、建筑、旅游等全面时尚品位杂志。这里可以看到世界顶级的建筑、室内装璜、高级厨房厨具、美食甚至时装的介绍。

  • 标签: 出版物 室内设计 工业设计 室内装璜 建筑 厨房
  • 简介:本文从技术发展、制备方法、原辅材料、工艺要点、产品特性、产品指标以及技术进展等方面,对氧化蒸镀薄膜进行了介绍说明,为读者从技术层面全面认知氧化蒸镀薄膜提供指导与帮助。

  • 标签: 蒸镀薄膜 氧化物 阻隔
  • 简介:在当代摄影中.以静态的方式所产生的观照并且留存在影像的空间.以其远离客体的事件和动作,让人意识到自己的“注视”仿佛对镜反观——多位艺术家的“的观照”集体呈现.构造的正是一种从精神状态到物质呈现融为一体的”视觉触摸”。同时.摄影中特殊的材料和物质元素的运用也为“的观照”奠定了深厚的物质基础。

  • 标签: 观照 摄影 物质基础 精神状态 艺术家 影像
  • 简介:国际半导体工艺指南(ITRS)的组织者们,迄今仍主要关注SiCMOS器件,但也在考虑非数字、非Si器件的应用,例如,无线通信。就数字电路来说,HRS的组织者们也不得不寻找Si以外的材料,在ITRS的最新版(2005年版)中,有这样的评论:随着本“指南”接近末期,器件将按准弹道模式工作,其电流增益将按与目前所知不同的参数得以增强,实际上碳纳米管、纳米线和其它高输运沟道材料(例如,Ge、Si衬底上的Ⅲ-Ⅴ族化合薄膜沟道)是需要的。这一陈述是记载在“长期指南(2014-2020年)”部分。“准弹道”意味着载流子平均自由程和驰豫时间达到器件特征尺寸量级和工作频率量级。同时需建立新的电荷输运物理模型。

  • 标签: Ⅲ-Ⅴ族化合物 数字器件 SI衬底 CMOS器件 电荷输运 半导体工艺