简介：随着电子战装备的广泛应用以及电磁脉冲武器、高功率微波武器的出现，战场空间的电磁环境日趋恶劣，使装备面临着巨大的电磁威胁，其对电子设备的破坏已经引起各国的广泛关注，因此对电子设备进行电磁脉冲保护迫在眉睫。首先分析了电磁脉冲对电子设备的危害；然后对防护效果较好的两种新型吸波材料（纳米材料、石墨烯）以及能量选择表面进行了介绍，分析了各自的优缺点及发展趋势；最后重点围绕等离子体电磁脉冲防护，介绍了其防护原理，并对国内外发展现状进行了总结与展望。

简介：本文对电磁兼容的实质作出了详细的介绍,并对现在电磁兼容领域的最新研究和发展作出了分析,主要是针对电磁兼容的标准和其与我们现在的各个行业的关系。

简介：世界各国对电磁波屏蔽、吸收材料的研究日益重视，国内多家单位致力于该研究。已取得阶段性成果，但我国还未形成电磁波屏蔽、吸收材料产业，只是小范围的进行材料的制备。电磁波屏蔽、吸收材料的研发、产业化、市场化显得尤其重要，对其研究应增加投入力度，产业化步伐应逐渐加大，并迅速形成较大规模。

简介：以片状银粉为导电填料,选用双组分环氧树脂体系以及稀释剂制备了一种可室温固化的双组分导电银胶,其具有良好的导电性能和电磁屏蔽性能.表征了银粉含量与体积电阻率的线性关系,测试了银胶固化样片在全波段的电磁屏蔽效能,表征并分析银粉含量、银胶涂层厚度对电磁屏蔽效能的影响,制得了银粉含量为80％,涂层厚度为0.32mm,中频段的屏蔽效能最大值可达51.7dB,高频段的屏蔽效能最大值可达33.2dB的导电银胶.

简介：本文根据热泵型空调的结构特点,针对电磁换向阀是系统中的重要部件之一,在使用中又是容易发生故障的部件,通过了解电磁换向阀的组成、工况工作过程等,提出了在使用管理、拆装、维护保养中如何采取措施,以确保空调器能正常发挥其夏天制冷和冬天取暖的作用.

简介：在废旧塑料摩擦电选过程中,荷电器的荷电效率对分选效果至关重要。对旋风荷电器中塑料颗粒摩擦荷电机理进行研究。在该机理下,理论分析推导得出,塑料颗粒荷电量Q与摩擦力做功功率Wt之间满足Q∝K·Wt·T,K是功电转换系数,T表示荷电时间;塑料颗粒碰撞模型表明摩擦力做功功率Wt与摩擦系数μ,碰撞角β,碰撞截面半径R2,碰撞频率nt的3次方相关;由此得出,对同种塑料颗粒而言Q∝n3t·T。选取ABS、PS两种塑料颗粒,采用高速摄影和荷电实验的方式验证了Q∝n3t·T的正确性。理论推导和实验结果吻合,说明所提出的摩擦荷电机理可以用来描述旋风荷电器中塑料颗粒的摩擦带电现象。该机理表明要提高旋风荷电器的荷电效率,可以选用摩擦系数较大的器壁材料;或者通过适当减小荷电器尺寸,增大风速来提高碰撞频率。

简介：为同时实现电子信息装备正常电磁环境下工作和强电磁脉冲下电磁防护的双重功能,介绍了一种在电磁场下具有变阻抗特性的智能电磁防护材料,场致电阻材料.该防护材料利用其在强电磁场下发生绝缘体/导体相变的特性,可以实现在强电磁脉冲辐射下防护材料由高阻抗向低阻抗的转变.场致电阻材料用于电磁防护具有电磁能量选择特性,对于低功率的安全电磁波可以高效透射,而对高功率的电磁脉冲则有效屏蔽,从而达到快速感知电磁环境变化并迅速调节电磁性能的要求.介绍了几种场致电阻材料,分析了其在电磁脉冲防护领域中应用的优缺点,并对未来强电磁脉冲防护材料的发展进行了展望。

简介：电对每个人的生活而言是至关重要的,没有电几乎无法生活或者工作,我们也可以通过一些电影来窥视能量对社会发展的重要性,比如钢铁侠3,其携带着一个强大的能量源,可为机械身体进行充电,同时我们还可以看到仿生技术的应用。事实上,未来客机将越来越多地涉及到仿生技术和纳米科技,这一领域的发展与我们的生活息息相关,那些看起来很普通的灌木可能作为能量源使用,为机械提供电力等。

简介：采用HP-8510B微波矢量网络分析仪测试了3种不同管径碳纳米管（CNTs）的电磁参数，并对三者的电磁参数进行比较。结果表明CNTs的管径不同，其电磁性能也有所变化，随着CNTs管径增加，其复介电常数虚部不断增加，在10～18GHz高频段，管径为30～50nm的CNTs介电损耗角正切较大。根据电磁波传输线理论计算了3种碳纳米管的反射率曲线，厚度为2．0mm时，管径为30～50nm的CNTs的吸波性能最佳，模拟反射率峰值为－26．24dB；管径为20～30nm的CNTs模拟反射率峰值为－12．52dB；管径50～80nm的CNTs模拟反射率峰值为-24．1dB。

简介：电磁阀是风冷螺杆冷水机组中必不可少的关键元件.本文介绍了电磁阀的原理以及其在机组中的各项作用.

简介：轻巧便携虽然被称为动力舱，不过它的体积却非常小，和一个快译通的大小，重量相仿。这对于经常外出的用户来说，即使随身携带也不会增加更多负担，这总比背上几十节电池上路要清爽多了。

简介：日本东京大学岩佐义宏教授和理化学研冗所的研冗小组置称，实验证明具有与石墨烯相同的原子构成为蜂窝状晶格结构的层状MoS2是一种优异的谷电子学意义上的新型低耗电器件用半导体材料。为降低耗电量，此前的研究集中在自旋电子方面，即半导体器件不用电荷，而是利用电子自旋，但近年来谷电子学研究比较引人注目。这是利用电子的另一个自由度“谷”，即由半导体晶体结构的对称性产生的电子流动及流动方式在左旋和右旋具有不同的性质。通过抑制因半导体结晶缺陷及杂质导致的能量损失，使电子自旋高效运动，从而减少电子器件的电力消耗。