简介:摘要:ZnO是3.37eV的直接带宽,激子结合能60meV,导电性,低毒透视n型半导体材料,广泛应用于光伏器件、压电器件、抗菌剂、光催化剂等电子器件等领域,但是它独特的结构缺陷--自补偿现象--限制了它在许多光电设备中的使用。电荷补偿现象的发生是由小晶体结构的局部缺陷和变形引起的。将ZnO从n型半导体转化为p型半导体的最有效方法之一是混合其他离子。阳离子通常用作电子俘获物,从而降低电子/空穴的连接速度。混合各种离子可以改变ZnO的晶体结构和形态,进一步改变和改善物理化学性质。近年来,研究了多种离子掺杂ZnO,包括铜、锂、铝、银、铟,发现添加各种离子会使ZnO的组织和性能发生巨大变化。这可以更好地理解ZnO的结构缺陷,这些缺陷对其他类似材料具有重要意义。。
简介:摘要:从上个世纪80年代起,薄膜晶体管(TFT) 的制备工艺、特性表征和模型建构等研究基本都是基于单栅器件进行的,所以单栅的TFT器件的工艺制备、器件结构解析模型等都研究的相对比较成熟。然而,近几年,一种具有发展潜力的双栅结构TFT引起了世界普遍的关注。双栅结构的TFT具有更强的电流驱动能力,更低的漏电流和较好的亚阈值特性,可以抑制短沟道效应等优点,逐渐成为颇具有发展前景的新型器件结构。本论文在氧化锌 (ZnO) 的性质和薄膜的制备方面做一些讨论,并对常规TFT的结构进行分析,探讨了双栅结构的ZnO薄膜晶体管的工作模式。 关键词:氧化锌,双栅结构,工作模式
简介:摘要:纳米氧化锌因为纳米材料本身独特的效应,使其有着独特的物理和化学性能,在日益重视环境的现在来说,纳米氧化锌的光催化降解性能越来越使人重视,本文对纳米氧化锌光催化降解性能的研究进行综述。