简介：

简介：在这份报纸，器官的量井设备，无机的半导体类似于type-II量很好，被制作了，在里面它NPB(N，N鈥?Di-[(1-naphthalenyl)-N,N鈥?diphenyl]-(1,1鈥?biphenyl)-4,4鈥?diamine)和Alq3(Tris-(8-quinolinolato)铝)分别地充当潜在的障碍层和潜在的井层。在electroluminescence，有井宽度减少的光谱的蓝移动与不同的井宽度为设备被观察，并且这被量尺寸效果和激子监禁效果的联合解释。有增加应用电压的光谱的蓝移动为一样的设备被观察，并且这以极化效果和量尺寸效果被解释。CLC数字TN383+.1这个工作被中国的国家性质科学基础支持(60576016，10374001)，中国(2003CB314707)的国家关键基本研究专辑基础，国家高技术研究和开发中国(2006AA0380412)编程序，北京城市自然科学基础(2073030)，中国(10434030)的国家性质科学基础的关键条款，和北京交通大学的优秀医生鈥檚科技革新基础

简介：Organicgreenlightemittingdevices(LEDs)withmulti-quantumwell(MQW)structurewerefabricated.Aromaticdiamine(TPD)wasusedasholetransportinglayerandpotentialbarrierlayer;Tris(8-hydroxyquinoline)aluminunum(Alq3)wasactedaselectron-transportingemitterandMQWgreenemitter.Airstablealuinum(Al)wasusedaselectron-injectioncontact.Theinfluenceofthethicknessofpotentialbarrierlayerandthenumberofquantumwellontheelectroluminescent(EL)efficienciesofthedeviceswasinvestigated.TheorganicLEDswithtwoquantumwellsshowedenhancedELefficiencies.Maximumexternalquantumefficiencyandbrightnesswere1.04%and7000cd/m^2,respectively.

简介：以便在量井思考类型波导解决过多的插入损失和低开／关比率光开关，新奇InGaAs/InAlAs联合了量很好结构被建议。在低应用电场(F=19kV/cm)和低吸收损失的情况中(伪鈮?1.2厘米?1)，一个大否定导致地的折射索引变化(螖n=?0.0134)在操作波长在新奇的联合的量井结构被获得(位=1550nm)。值在上述一样的工作条件上在一口矩形的量井(RQW)由与那相比的超过一～二个数量级是更大的。CLC数字TN365不到资助号码60277034和60436020由中国的国家自然科学基金会支持了

简介：AwedgeshapeSiLEDisdesignedandfabricatedwith0.35μmdouble-gratingstandardCMOStechnology.ThedevicestructureisbasedontheN-well-P+junction.TheP+hasawedgeshapeandissurroundedbytheN-well.ThemicrographsofSiLEDs'emittingandlayoutarecaptured.TheI-VcharacteristicandspectraoftheSiLEDaretested.Underroomtemperatureandbackwardbias,itsradiantluminosityis12nWat100mA,andthewavelengthoftheemittingpeakislocatedat764nm.