简介：飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)凭借其卓越的电源技术优势推出三种全新“绿色”飞兆功率开关(FPS)产品，针对各式应用的100W至250瓦功率范围开关电源(SMPS)要求，包括彩电、DVD接收器、音频设备及等离子体平板显示器等。随着新型FSCQ系列的推出，飞兆半导体可提供满足1W～250瓦应用要求的完整绿色FPS产品系列。

简介：当今电力电子系统已在日常生活中得到越来越广泛的应用，然而，在其背后所蕴含的一些尖端技术却被人们所忽视。以写字楼的电梯或百货公司的电动扶梯为例，只有在出现故障时（比如电动扶梯突然停止运行或是有人被困在电梯中），人们才会注意到电梯或电动扶梯的运行系统。这类故障不仅给您带来了很多麻烦，而且还会提高检修和维护的成本。遗憾的是，很多数电梯制造商只会夸耀其产品的可靠性超过99％，却对系统故障可能给客户企业形象造成的损害避而不谈。不要忘了，实际的可靠性才是确保正常运行的必要条件。

简介：对用于不同家电上的三相电机驱动，这些模块提供了一个成熟的、完整的解决方案，如功率在250W-2kW的洗衣机、节能冰箱和空调压缩机的驱动。它们使用了NPTIGBTs以及配套的超快软恢复二极管来减小EMI。除了IGBT功率开关外，模块还包含了一个6输出的驱动器芯片，与IGBT匹配，在最小的噪声和最大的可靠性下来进的灵活性。

简介：ISOPLUSi4^TM系列功率半导体器件具有非常适合应用于开关模式功率电源（SMPS）的特征：器件的集成度高，在应用于高开关频率时工作性能可进行优化，一个集成的隔离有助于降低装配工作的难度，如果要求应用于高压场合可通过加大爬电距离和穿透深度来完美地实现。本文对这类元件使用的技术进行深入的介绍，并针对SMPS上的应用来论述它们的特性。

简介：介绍了大功率IGBT模块的新概念，以及为实现小型化和高可靠系统时大功率应用的栅驱动技术。采用新型模块，可使体积和重量大约减小50％。使用通常的栅驱动方法驱动新型模块，也能简化设计并得到大功率电子系统。IGBT芯片的正面采用了沟槽栅结构，背面采用了电场截止层结构。未选择栅沟槽的FSIGBT芯片，其电流的不均衡率是10％或更小。采用通常的栅驱动单元有可能均衡与栅驱动单元并联的IGBT的开关波形。这些技术将使大容量的应用变得容易。

简介：

简介：摘要近年来我国高校毕业生就业形势十分严峻，如何解决大学生的就业问题，鼓励大学生创业，以创业带动就业，是当前解决大学生就业难问题的重要动力。本文以高职院校为视角，对如何提升大学生创业成功率进行问题分析，并提出了一些促进大学生创业的对策建议。

简介：随着电力电子技术的发展，在电力电子设备中，广泛应用IGBT模块。IGBT模块是先进的第三代功率模块，集成功率IGBT和智能化IGBT代表了IGBT的发展方向。本文简介IGBT模块，功率集成IGBT（PIM）和智能化IGBT（IPM）的结构和应用实例。

简介：<正>今年TSMC资本支出将达60亿美元,其中8亿美元集中在研发,50多亿美元的支出主要用于扩充先进工艺和成熟工艺的产能。因先进工艺设备比较贵,所以支出占比较大。"TSMC(台积电)中国区业务发展副总经理罗镇球在IC-CAD2010年会上对《中国电子报》记者表示,"台积电已占全球代工市场的半壁江山,在先进工艺方面,65nm工艺的市场占有率达70%,40nm工艺占有率则

简介：技术方案的简单可行是保证电子政务成功的关键问题，因为电子政务涉及的外界环境很多，很多问题是我们意想不到的，它们就像隐藏在水下的冰山一样，如果技术太复杂，将会占据我们太多的精力，使我们无法面对业务环境中出现的各种问题，这样风险就太大了。

简介：移动网络优劣评价至关重要的一项指标便是寻呼成功率，同时它也是国内运营商进行KPI考评极为重要的构成成分。寻呼成功率高低将会对手机被叫接通率产生直接影响，并且也会对用户感知产生影响。本文通过分析交换侧的寻呼流程，寻找对寻呼成功率能起到改善作用的各因素，从而使移动通信中寻呼成功率低这一问题得到解决，进而使移动通信的质量得到提升，最终达到使用户满意度得到提升的目的。

简介：全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布，两家公司就采用MLP3×3（Power33TM）和PowerStage3×3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。

简介：本文是根据最近广州地区CDMA网络统计上发现的伪导频附近基站的201频点的软切换成功率偏低．然后组织了一系列实验．进行专项研究而得。最后发现此种软切换成功率偏低是朗讯设备统计上的原因，并不影响用户的真实感受。

简介：

简介：从用户角度出发,针对用户手机终端内存满问题,开发的闪信提醒业务,该项目特点是不占手机终端内存的环保短信,通过闪信方式提醒用户手机终端内存满,解决用户由于用户手机内存满问题导致短信接收失败情况,对用户进行主动关怀,通过闪信的方式展现给客户以新颖的感觉,提高客户满意度及感知度,同时可以大大提高系统缓存资源利用率。

简介：

简介：功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展，其种类日新月异。同时，模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择、制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战。文章结合了近年来国内外的主要研究成果，详细阐述了各类功率电子模块（GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM）的内部结构、性能特点及其研究动态，并对其封装结构及主要封装技术，如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述。

简介：SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。

简介：本文根据2004年国际功率半导体器件与功率集成电路会议(ISPSD’04)的论文内容对功率集成电路制造技术的近期发展进行了简单的概述。

简介：<正>位于美国加州的功率半导体和集成电路的供应商IXYS公司日前宣布一项新型的铝基基片技术。该项技术也称为直接铝材连接(directaluminumbonded简称(DAB)技术,已经用于集成功率半导体模块的生产中,例如:马达驱动、DC/DC转换器和功率模块中。该项技术是一项替换直接铜材连接(directcopperbonded)简称(DCB)先进技术,在直接铜材连接技术中铜作为主要的导体被连接到铝或者氮化铝陶瓷上。