简介:采用PECVD技术在1.55μnInGaAsP-InPMQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5~74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量.对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV.在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜.
简介:摘要本文通过对彝族烟盒舞活态传承的方式进行研究,全面、细致地分析了彝族烟盒舞的风格特征、舞蹈动作以及表演道具都极富地域特色的原始色彩。指出,蕴含着彝族民族性格与民族气质,同时也是彝族民族精神与民族情感的一种表现,不仅具有其本身的民俗色彩和地方特色,更融入了其它民族舞中的精华及养分,凝聚着彝族人民丰富的想象力和创造力,成为广大人民群众喜闻乐见、心灵相通的民间表演艺术形式。彝族烟盒舞的活态传承对于促进其在艺术遗产保护领域、传统文化发展领域和舞蹈艺术的研究领域都具有重要的文化价值和作用。呼吁我们不断地开阔对彝族烟盒舞的发展方式,对其做好进行全方位和多层次的保护工作,使我国艺术宝库中的这座丰碑绽放更独特的魅力,从而推动我国舞蹈艺术的可持续发展。
简介:本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合.注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2.注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒.实验结果表明,小剂量注入(~1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关.大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰.
简介:将有机材料PBD和Alq3交替生长,制备PBD/Alq3有机多层量子阱结构(OMQWs)。利用电化学循环伏安法和光吸收分别测定PBD和Alq3最低空分子轨道(LUMO)和最高占据分子轨道(HOMO)。从能带图可看出,类似于无机半导体中的Ⅰ型量子阱结构。利用小角X射线衍射(XRD)和荧光光谱研究了OMQWs的结构特征和光致发光特性。本文基于四个周期制备了不同势垒层和势阱层厚度的样品。随着势垒层厚度地变化,PBD与Alq3之间的能量转移也有所变化,文中将给与讨论。