简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：三星公司的两款即将推出的全新概念打印机——打印机和手机的“合体”，将会给你耳目一新的效果。一款椭圆形概念打印机称为“wave”，三星称之为“最小限度的有机设计”。它可以轻轻松松地将手机上保存的文件，在不连接WIFI或蓝牙的情况下直接打印。另一款概念打印机除了具备常规功能外，还可以在插上手机后，为手机充电并播放音乐。

简介：频率合成器被称为雷达电子系统的“心脏”，其相位噪声对设备和系统的性能影响很大，随着现代雷达技术的不断发展，对频率合成器的低相位噪声提出了较高的要求。文中简单介绍了频率合成器相位噪声的基本概念，基于频率合成器的基本实现方法，阐述了直接式频率合成器相位噪声的限制因素。并通过实践论证了这些限制因素对相位噪声的影响程度，以及介绍了未来频率合成器的发展方向，对低相位噪声频率合成器的工程设计和生产调试具有一定的指导意义。