简介：电源EMC设计中常常遇到不同的设计思路EMC设计点也存在差异,本文主要从正激型开关电源的原理出发,对其骚扰源与其环路进行分析,提出相应的设计方法,供相关企业和研发人员参考。
简介：通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOINMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。
正激型开关电源辐射骚扰设计简析
抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究
