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  • 简介:存储单元的加固是SRAM加固设计中的一个重要环节。经典DICE单元可以在静态情况下有效地单粒子翻转,但是动态情况下单粒子翻转能力较差。提出了分离位线的DICE结构,使存储单元在读写状态下具有一定的单粒子效应能力。同时,对外围电路中的锁存器采用双模冗余的方法,解决锁存器发生SEU的问题。该设计对SRAM进行了多方位的加固,具有很强的单粒子翻转能力。

  • 标签: SRAM加固 DICE 分离位线 单粒子翻转