简介：以纳米Cr2O3和乙炔黑为原料，经高温还原碳化制备超细Cr3C2粉末，研究反应温度、反应时间以及配碳量对Cr3C2粉末的粒度与游离碳含量的影响。通过热力学计算，只有当温度高于1350K时还原碳化反应才有可能进行，采用纳米Cr2O3可显著降低反应温度，在1573K下焙烧6h碳化率即达到98.20%；Cr3C2粉末的游离碳含量随配碳量增加而显著提高，配碳量（质量分数）为理论配碳量的1.05倍时制得游离碳含量为0.23%、氧含量为0.91%（均为质量分数）、平均粒度为1μm的Cr3C2粉末，该粉末达到硬质合金及热喷涂应用的要求。

简介：对以五氧化二钒为原料制备碳化钒的工艺过程进行热力学分析,分析结果表明:钒氧化物在转化过程中遵循逐级还原理论;钒氧化物在碳化过程中,不转化为金属钒,直接转化为碳化钒;二氧化钒的碳化温度最低,为1018K,因此,在钒氧化物的转化过程中,应尽可能使其转化为二氧化钒.若采用气相还原碳化的方法,则可通过调节气体的流量、配比对还原碳化工艺进行控制.

简介：详细分析了喷射沉积的影响因素,归纳了建立数学模型、制定统一工艺标准和实行实时控制3种方式来控制沉积体性能。

简介：通过对整流设备的测试和分析,制定改造方案。采用新技术,用较小的投资,不但解决了生产中出现的问题,还取得较大的经济效益和节能效果。

简介：浇注料是炼钢浇注工艺中使用的一种成分较复杂的耐高温材料，除了含有铁、钙、镁、碳的化合物外，还含有二氧化硅、单质硅及碳化硅等化学成分，碳化硅在浇注料中具有重要的作用。对浇注料中碳化硅的测定，本文采用先将试样中共存的二氧化硅及单质硅用氢氟

简介：传统制备WC粉末的方法都是依靠发热体的辐射、能量对流、传导等方式加热W、C混合粉末到一定温度，热量由外向内传递，具有加热温度高、周期长、WC颗粒长大明显等缺点。本研究以纳米钨粉和活性炭为原料，采用微波加热法在1000℃快速制备纳米WC粉末。用XRD分析不同碳化温度产物的物相组成，并用SEM和TEM对产物进行形貌和粒度分析。结果表明：平均粒径50nm的钨粉经微波碳化法在1000℃保温10min，能够制备出平均粒径为86.5nm的单相WC粉末，纳米WC颗粒表面光滑，形貌呈近球形。分析微波碳化法制备纳米WC粉末的机理表明，微波碳化过程为扩散控制，WC颗粒的长大速率随碳化温度的升高而加快。

简介：高标准轴承钢线材GCrl5-X1主要供用户冷加工成钢球，该钢种对夹杂物控制、碳化物级别要求严格。本文从冶炼、连铸对其碳化物的影响进行研究外，重点对加热制度、控制轧制和控制冷却进行研究，有效控制碳化物液析、带状和网状，以满足用户要求。

简介：粉尘沉积是通风输送过程的常见现象,严重时常堵塞管路,本文以实验研究为手段,探讨高浓度粉尘在通风输送过程的沉积特性。得出水平直管内粉尘的沉积受风速主导,较大风速湍流强度大,边界层厚度薄,有利于外流区粉尘的悬浮和边界层内粉尘的再次悬浮;水平90°弯管内粉尘沉积具有区域性,弯头上游以有序沉积为主,弯头下游由于气流边界层分离产生了漩涡区使沉积量急剧减少,弯头外侧由于流动偏移对壁面的冲刷使粉尘沉积几率降低,而弯管内侧由于边界层分离和部分粉尘随气流的偏移使沉积量最小;水平三通管内粉尘沉积主要受支管角度与流速影响。通风输送高浓度粉尘的合适取值为：水平直管和90°弯管风速应不低于17m/s,水平三通角度30°~45°,支管风速不超过主管。

简介：采用对电解液进行超声分散的新型电沉积法，制备超细铜粉，借助x射线衍射（xRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）和激光粒度分析（SL）对所得粉末进行表征，研究电解液中Cu^2＋浓度对粉末形貌、粉末粒径以及电流效率的影响，深入探讨粉末的形成机理。结果表明：所生成的粉末为弦c结构的单质铜；取决于乳化液中表面活性剂的分布，粉末具有鱼骨状和不规则状两种形貌；随着电解液浓度从0.03mol／L增加到0.09mol／L，铜粉的平均粒径从0.92μm线性增加到1.8μm，电流效率从65.5％线性提高到91.3％。

简介：低合金白口铸铁是一种耐磨性能优良的铸铁材料,但其组织中共晶碳化物呈连续网状分布,削弱了基体的连续性,导致铸铁脆性过大.我们探讨了复合变质处理和热变形处理对共晶碳化物团球化的影响,同时还研究了共晶碳化物团球化对低合金白口铸铁机械性能和耐磨性的影响,结果表明,共晶碳化物团球化有利于白口铸铁韧性和耐磨性的大幅度提高.

简介：研究了铜在鄱阳湖姚公渡沉积物上的吸附与释放特性。研究发现，鄱阳湖沉积物对铜的吸附符合Langmuir和Freundlich模型，在2h内，溶液吸附趋于平衡；对铜的释放分快速反应和慢速反应阶段，最佳释放时间为3h。并研究了各因素对沉积物吸附与释放的影响，pH值对沉积物中铜吸附与释放的影响显著。

简介：为进一步控制GCrl5轴承铜碳化物液析，进行了加热温度与碳化物溶解扩散之间的关系研究，确定了GCrl5轴承钢比较合理的加热温度和保温时间，并将试验应用于现场。实际应用结果表明，在现有加热能力的务件下，将加热温度提高到1200～1280℃，保温时间在3h以上，使碳化物液析得到了控制，取得了明显效果。

简介：以四氯化锆为锆源,苯甲醇为碳源,分别采用对二甲苯,间二甲苯和二甲苯3种不同溶剂,有机合成高碳锆比(原子比28:1)碳化锆陶瓷的先驱体苯甲醇锆(benzylalcoholzirconium,BAZ)。采用FT-IR对先驱体的基团结构进行表征,通过热重分析(TGA)和X射线衍射分析(XRD)对BAZ的耐热性和陶瓷转化过程进行研究。结果表明,采用不同溶剂制备的碳化锆先驱体在600~700℃时均全部热裂解,1500℃完全热解为ZrC,其中采用对二甲苯溶剂制备的先驱体在氩气气氛下1600℃保温1h后的陶瓷产率最高,为51.8%,采用二甲苯溶剂制备的先驱体热裂解温度最高,为670℃。

简介：以ZnO粉末为原料,用N2作为载气,采用无催化辅助的热蒸发法沉积制备ZnO纳米结构,分别用X线衍射仪、扫描电镜和透射电镜对ZnO的物相、形貌和结构进行表征,并结合晶体生长理论和实验条件,对ZnO产物的形貌变化和纳米带生长方向进行研究。结果表明：离气源较近的位置到离出口较近的位置,ZnO纳米结构的形貌由连续颗粒膜逐渐向纳米带、直径大于100nm和直径小于100nm的纳米线变化。特别是发现ZnO纳米带除了常见的[001]生长方向外,还有[101]和[203]两种极为罕见的生长方向,这些纳米带都具有上下表面均由（±010）晶面组成的特点。ZnO产物的形貌变化是其生长过程由动力学控制为主转向热力学控制为主的结果,纳米带生长方向不同,可能与其晶核形成过程中的竞争生长有关。

简介：铜电解沉积过程中,阴极过电位大小决定了铜结晶的粗细程度,高电流密度下提高高纯阴极铜产率,加强阴极过电位的控制非常关键。通过在铜电解过程中阴极过电位控制方面的研究工作,讨论了几种影响阴极过电位因素。以提高高纯阴极铜产率为目标,分析了电流密度、添加剂、阳极质量及电解液温度等因素对阴极过电位的作用机理,并讨论了各因素的影响规律。

简介：采用化学气相沉积法（chemicalvapordeposition，简称CVD）不仅可以制备金属粉末，也可以制备氧化物、碳化物、氮化物等化合物粉体材料。该法是以挥发性的金属卤化物、氢化物或有机金属化合物等物质的蒸气为原料，通过化学气相反应合成所需粉末，因其制备的粉末纯度高，比表面积大，结晶度高，粒径分布均匀、可控，在粉体材料制备方面的应用日趋广泛。该文主要介绍CVD技术制粉的形成机理和研究进程。CVD法制粉主要包括化学反应、晶核形成、粒子生长以及粒子凝并与聚结4个步骤。按照加热方式不同，CVD技术分为电阻CVD、等离子CVD、激光CVD和火焰CVD等，用这4种技术制备超细粉末各有其优缺点，选择合适的气源，开发更为安全、环保的生产工艺，以及加强尾气处理是使CVD法制备超细粉体材料付诸于工业应用的重要保证。

简介：文中提出了测定铝质、镁质等耐火材料中所含碳化硅的分析检测方法，结果令人满意，具有一定的实用性。

简介：采用真空热压烧结法制备SiC颗粒体积分数分别为20％、25％＊1130％的SiCp／Al-30Si复合材料。利用扫描电镜对复合材料的微观组织进行表征，并检测其力学性能及物理性能，运用Turner、Kerner理论模型对材料的热膨胀系数进行计算，分析碳化硅体积分数对SiCp／Al-30Si复合材料组织及性能的影响。研究结果表明：随SiC含量的增加，复合材料的组织中会出现SiC颗粒的团聚，使材料的致密度及抗拉强度下降，在50-100℃之间的热膨胀系数降低，其平均值与Kerner模型计算值很接近。

简介：采用全自动控制往复喷射成形工艺制备工业规格7055铝合金锭坯，研究热挤压工艺对喷射成形7055铝合金的显微组织和力学性能的影响。采用电子背散射衍射技术对经不同热挤压后7055铝合金的织构进行研究。结果表明，喷射沉积锭坯组织为等轴状晶粒，均匀细小（30～50gm），基体中不存在枝晶型偏析。由于喷射沉积工艺本身的特点，在合金中存在大量的显微疏松缺陷。沉积锭坯经过热挤压致密化后，合金力学性能显著提高，抗拉强度巩为390MPa，伸长率6为13．3％，表明热挤压工艺可有效消除疏松缺陷，从而充分发挥出喷射沉积工艺的优越性。EBSD分析表明，挤压后沿着挤压轴方向形成丝织构，主要为（001）与（111）两种织构。

简介：以三氯甲基硅烷（CH3SiCl3）为前驱体,采用化学气相沉积法（Chemicalvapordeposition,CVD）,在原位生长有碳纳米管（Carbonnanotubes,CNTs）的C/C复合材料表面制备SiC涂层。用扫描电镜（SEM）和X射线能谱仪（EDS）观察和分析涂层微观形貌及成份。研究沉积温度（1000~1150℃）对SiC涂层的表面、截面以及SiC颗粒的微观形貌的影响。结果表明：在1000℃下反应时,得到晶须状SiC;沉积温度为1050℃时涂层平整、致密;沉积温度提高到1100℃时,涂层粗糙,致密度下降;1150℃下形成类似岛状组织,SiC颗粒团聚长大,涂层粗糙,并有很多裂纹和孔洞,致密度低。对涂层成份和断口形貌研究表明,基体和涂层之间有1个过渡区,SiC涂层和基体之间结合良好。