简介：采用Ni—Cr-B-Si非晶箔作为中间连接层在1090～1180℃真空下对钼合金与耐热不锈钢进行液态扩散连接，研究扩散连接温度对钒合金／不锈钢连接样微观结构、成分分布、显微硬度的影响。结果表明：Ni—Cr-B-Si非晶箔熔化后对钼合金及310S不锈钢母材具有较好的润湿性，在真空下可实现较好的冶金结合。中间连接层组织演变为镍基固溶体，并在钼合金一侧发现Mo—Ni—B金属间化合物。随连接温度升高，连接层中的元素向母材的扩散更加充分，生成的金属间化合物层厚度增加，Kirkendall孔洞数量增多。

简介：致密氧离子导体陶瓷透氧膜,在特定温度条件下对氧具有渗透选择性,可以从空气或其他含氧气氛中连续分离超高纯度氧气（理论上纯度为100%,实际测量纯度不低于99.99%）。将氧气分离与需氧工业（如低碳烃类的选择氧化和制氢反应）耦合在膜反应器内,可大幅简化运行单元,降低天然气制油（GTL）投资成本,具有显著开发优势。

简介：以AgCuTi合金粉末为过渡层，采用扩散连接法对石墨与铜进行扩散连接实验。利用X射线衍射仪、扫描电镜、金相显微镜及万能材料实验机对连接界面的性能及微观形貌进行研究。研究结果表明：在工艺参数为870℃／200kPa／10min的条件下可实现石墨-Cu连接，其接头界面组织结构为石墨／TiC／铜基固溶体＋富银区／铜；接头剪切强度为17MPa，断裂在石墨母材；并分析了石墨／Ag-Cu—Ti／铜真空加压烧结接头的形成机理。

简介：稀磁半导体（DMS）材料日益受到科技界和工业界的关注。本文根据ZENER模型研究稀磁半导体材料的居里温度。计算结果证明：同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高。在考虑反铁磁性交换作用时,低价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度与高价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度的差别,比不考虑反铁磁性交换作用时居里温度的差别更为明显,且差别随反铁磁性交换作用相对强度的增加而增加。该研究结果可为获得具有高居里温度的DMS材料提供参考。

简介：老式铸造吊车板式钩与钩台连接形式多数为单铰接轴连接,这种连接方式经常造成板钩钩间距改变,给设备带来安全隐患.改进后采用了十字双铰接轴连接形式,板钩可沿十字铰接轴实现纵横两个方向自由摆动,设计结构安全合理,极大地降低了设备的故障率.

简介：分析转炉托圈柔性连接技术的优点及影响柔性连接效果的因素，并在设计中针对柔性连接托圈的结构特点及国产化过程中的问题采取一些优化设计措施。

简介：介绍了带肋钢筋套筒挤压连接技术的定义、适用范围、主要优点、施工中的主要注意事项、质量检查要求。

简介：第34届中国哈尔滨冰灯艺术游园会同时亮相的世界首例采用半导体照明（LED）技术。30多年来，冰灯主要光源始终采用的是一次性使用、无法回收的普通荧光灯管，美的代价是高耗能和环境污染。LED技术具有节能、环保、寿命长、响应快以及耐震、耐冲击、体积小等特点，不含有汞等有害金属，用其代替荧光灯放置在冰灯内不易破损，而且可回收利用。黑龙江省市科技部门联手为传统冰灯嫁接高新技术，为冰灯注入了节能环保的时代内涵，选定兆麟公园来实施LED冰灯示范应用项目，并列入到了2007年度省重大科技攻关项目。

简介：　　GaN基化合物半导体材料技术和器件制造工艺的迅速发展已经引起了全世界的密切关注,成了近期半导体光源技术的发展热点,是许多国家政府能源战略关注的热门技术.……

简介：本文以40万吨／a铜冶炼项目及其生产监控需求为背景，简要介绍了横河多项目连接技术，并从软硬件配置、系统设置、CEbrrUMVP系统组态设计等方面详细论述了多项目连接技术具体工程化应用方法。实际工业应用证明多项目连接技术把互相独立、互不影响的不同项目进行有机互连。实现整个生产系统实时监控的互操性，大大方便了生产管理，也使大规模控{扫《系统通过此技术将系统化大为小、化繁为简。再有机整合。有效地降低了风险和成本。

简介：介绍阻水辊、连接轴表面镀铬现状，针对镀铬后表面硬度和镀铬层问题进行详细分析，以解决镀铬后硬度不达标的问题。

简介：文章根据锌电解生产工艺的实践,阐述了锌电解大面积铜母线连接方式的好坏是影响直流电单耗的主要因素之一。同时对连接方式改进前、后的情况进行了比较分析,总结了连接方式改进后所取得的节能效果。

简介：介绍了为保证三辊定心机部件连接质量而设计制作的导向轴，即提高了装配精度及工作效率，又可以检测机架孔与各组件在加工时是否存在同轴度误差，将质量隐患消除在上机使用以前，收到了良好的效果。

简介：介绍南钢计量系统建设的总体目标,结合实际情况重点阐述计量系统如何实现把两个数据库（Oracle和Access）与编程工具融合,实现本地无扰动计量,数据库自动切换。

简介：采用厚20μm的非晶态Ti-Zr-Ni-Cu钎料,真空钎焊连接用于聚变堆面向等离子体部件的钨和铜铬锆合金,钎焊温度分别为860、880和900℃,对880℃下的钎焊样品进行热等静压（HIP）处理。采用SEM和EDS分析连接接头的形貌和成分,用静载剪切法测量焊接接头强度。测试结果表明在860~880℃下钎焊10min能够获得较好的连接界面,经880℃钎焊后焊接接头的剪切强度为16.57MPa,880℃钎焊后HIP处理的试样界面结合强度提高至142.73MPa,说明真空钎焊后HIP处理可以显著改善接头的结合强度。

简介：微波合成因合成速度快、清洁和能效高而成为一种非常有前途的材料制备方法。与常规方法相比，很多材料可以在相对较低的温度和较短的时间内用微波加热合成。该文作者利用混合微波加热技术，在短时间内由镁粉、镍粉和石墨粉合成了具有立方钙钛矿结构的金属间化合物超导材料MgCNi3。利用微波加热合成的MgCNi3，镁的挥发和氧化程度明显减少。粉末X射线衍射显示合成的样品主相为MgCNi3，还含有少量未反应的石墨粉和微量的MgO杂相。金相显微镜和扫描电镜观察表明超导样品的晶粒大小一般为2～6μm。由标准的四探针电阻方法和磁测量技术测得样品的超导起始转变温度为6．9K，转变宽度约为0．8K。

简介：研制了一种以玻璃粉作为粘结相的低温烧结型银基浆料，并应用于集成电路半导体芯片贴装工艺。重点考察了半导体芯片与氧化铝陶瓷基座组装后的附着力，以研究浆料中银粉、玻璃粉和有机载体的含量以及芯片的净化处理工艺、烧结工艺对组装件剪切力和温度循环后剪切力的影响。结果表明：采用有机溶剂和皂化除油，银粉和玻璃粉质量比为7：3，有机载体和固体相质量比为1：9，在430℃烧结，保温时间在20～25min时，能获得最大剪切力。

简介：介绍了新型超导体MgB2的基本超导电性,综述了MgB2材(多晶)、线材和带材的主要制备技术,并对MgB2超导材料的应用前景进行了展望.

简介：分析了炉体与托圈连接装置的结构以及可能出现的故障，针对这些故障提出了可行的处理方案，缩短了故障停机时间。

简介：陶瓷与金属连接具有重要的工程应用背景,然而却面临诸多技术难关,连接件的热应力缓解便是其中之一。本文作者采用弹性有限元方法,对采用不同材料作为中间层得到的实际连接尺寸的SiC陶瓷与Ni基高温合金连接件的应力进行计算,并结合各种材料的塑性对连接件的应力进行定性分析。计算结果表明,SiC陶瓷与Ni基高温合金直接连接产生的热应力很大。最大轴向拉应力位于陶瓷近缝区,导致连接件强度偏低或断裂。采用功能梯度中间层或软金属中间层能在一定程度上缓解热应力;硬金属中间层虽然不能缓解应力,但能改善应力分布状态,使最大轴向拉应力迁移出比较薄弱的陶瓷一侧,有利于连接强度的提高;采用软、硬金属复合中间层具有较好的缓解应力和改善应力分布的效果,但却较多地增加了连接件的界面,有可能导致负面效应,在实际工程应用中需要根据具体情况,权衡利弊,综合考虑。