简介：作为新兴的战略性产业，集成电路在今年两会期间受到了极大的关注，并引发了很大的讨论。面对国家的扶持以及各项利好政策，集成电路产业的变革就在眼前，并将进入全新的发展阶段。
简介：漏电流增大是集成电路的主要失效表现,通过光发射显微镜（PEM）和光束感生电阻变化（OBIRCH）技术互补地结合使用,对集成电路中常见的PN结漏电、介质层绝缘性降低、间接漏电流失效和芯片的背面分析案例进行研究,分析由过电应力、金属化桥连、静电放电损伤导致漏电的定位特性。得出以下结论：根据光发射显微镜得到的缺陷形貌和位置可以断定是否为原始失效或间接失效,结合电路分析进而可以解释发光的原因;OBIRCH对原始缺陷的定位更为准确,多层结构的背面OBIRCH分析更有优势。
简介：（接2016年第1期第29页）三、2016年各品种核心矛盾与策略思路（一）铜：投资需求将继续走弱,下游去库存,上游去利润核心矛盾：供应端收缩难、海外矿山库存高;需求趋势不乐观;去金融属性。主要逻辑：铜价的平衡仍待价格触及更多矿山的亏损点导致更多减产,并影响加工费从而减少冶炼端产出,并主动适应进一步下滑的需求。1.铜矿收缩有限,矿山库存仍高2015年全球铜矿产出依然呈现净增状况,新投放产量约80万吨,关闭20万吨,2015年减产矿山主要是老旧的高成本矿山,而新建矿山成本相对较低,
我国集成电路产业进入全新的发展阶段
PEM/OBIRCH用于集成电路漏电流失效定位
失之东隅 收之桑榆：下游去库存倒逼上游去利润（续）——2016有色金属年度策略报告
