简介：汽车左后轮总成产品中的钟形壳花键在行驶过程中发生断裂,采用宏观观察、扫描电镜观察分析、断口分析、金相分析及理化测试分析等试验方法对钟形壳花键断口进行了化学成分、非金属夹杂、硬度、硬化层深度、金相组织、断口形貌特征进行了分析.结果表明花键为脆性断裂,且有数个裂纹源同时扩展.电镜下可观察到有明显的脆性特征,花键部位的化学成分、非金属夹杂物、硬度均符合技术要求,但马氏体较粗（2级）,不符合技术要求的M3-6级.花键齿顶部位的晶粒粗大,易造成该部位的韧性不足,脆性过大,抗冲击过载能力不足,易产生脆性起始裂纹.因此晶粒粗大是造成花键断裂的主要原因.针对深层次原因,提出了应对花键淬火温度加以监测控制的改进措施.

简介：连续退火炉炉壳钢板长期服役后多处开裂，本文通过性能测试、硬度检查、金相分析、化学成分分析、应力测试及有限元分析等方法对连续退火炉的安全性进行了评估。结果表明，连续退火炉炉壳材料性能有所下降，金相组织发生了球化，但对其使用影响不大；炉壳钢板开裂不是材料劣化引起的，主要是由于炉壳钢板上存在着较大的拉应力，与辐射管附近、锚固钉与钢板的焊接处等部位的应力集中有关。炉壳的开裂可以通过焊接进行修复，修复后的炉壳钢板可继续安全使用。

简介：本文阐述了在高密度互连积层法多层板、薄形高刚性多层板快速发展的背景条件下，基板材料用电子玻纤布在追求薄形化及其各种高性能方面的新发展。

简介：电子产品的轻薄小型化,要求PCB线路更细、高阻抗稳定性。作为PCB基材的覆铜板对铜箔的薄型化要求日趋明显,而铜皱问题是目前业内推广薄铜箔的最大阻碍。本文将根据笔者等人近年来对薄铜CCL生产过程及工艺的深入研究,详细分析铜箔起皱的原因,并提出相应改善措施。

简介：在研发成功低吸水性分子主链和捕捉金属离子型树脂的基础上．研制成功了绝缘可靠性优良的薄型IC封装用无卤素覆铜板基材。因为这种材料当绝缘层厚度为40μm时就有良好的绝缘可靠性．所以能实现厚度为100μm封装结构基板。而且在无卤素的情况下能达到UL94-V级的阻燃性，并能做到符合环保要求的无铅焊锡装配。

简介：近年来，由于半导体技术的进步，以及以计算机、移动电话为代表的电子产品的轻薄短小化、高速化的发展，要求它们所用的多层板更趋于向基板层间的薄型化、导通孔的窄间隔化、电路图形的微细化。并需要这些性能能够同步并进，共同提高。

简介：由于电子产品的轻、薄、短、小、高密度组装，促使印制电路板迅速向多层、超多层方向发展，以“薄”为特点的封装用基板也成为印制板用新型覆铜板的一大热点。这一切又都离不开薄型、极薄型与超极薄型电子布。

简介：由广东生益科技股份有限公司承担的“基于国产超细玻璃纤维材料的薄型覆铜板开发及产业化”课题，于7月28日通过验收。

简介：采用体视学显微镜和扫描电镜（SEM）结合X射线能谱分析（EDS）研究不同厚度0.1mol/LNa2SO4薄液膜下浸银处理电路板（PCB-ImAg）和无电镀镍金处理电路版（PCB-ENIG）的电化学迁移行为与机理结合交流阻抗谱（EIS）和扫描Kelvin探针技术（SKP）对电偏压作用后PCB金属极板的腐蚀倾向和动力学规律进行分析。研究结果表明,经电偏压作用后,在不同湿度条件下,PCB-ImAg板上银的迁移腐蚀产物数量极为有限,而在高湿度条件下（85%）下,PCB-HASL两电极间同时发现了铜枝晶以及铜/锡的硫酸盐、金属氧化物等沉积物。SKP结果表明,阴极板表面电位明显低于阳极板表面电位,具有较高的腐蚀倾向。建立电偏压作用下PCB电化学迁移腐蚀反应机理模型,并对两种电路板电化学迁移行为差异进行比较。