简介:为研究复合离子液体中电沉积制备Ir的工艺过程,探讨添加剂N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)对BMIC-BMIBF4复合离子液体黏度、电导率及电化学稳定性的影响,分析IrCl3在该复合体系中的电化学行为,并在不同电位下恒电位电沉积Ir层。采用扫描电镜及X射线衍射仪对沉积层形貌及组成进行表征。结果表明:DMAC的加入使复合体系的黏度降低、电导率升高、电化学稳定性提高;金电极上的循环伏安测试表明,Ir3+通过一步还原反应生成单质Ir的过程是受扩散速率控制的不可逆过程,其平均转移系数为0.170,扩散系数为1.096×10-6cm^2/s;SEM显示,在还原峰电位处可以获得较为致密、平整的Ir层,而XRD谱表明Ir层为多晶结构。
简介:玻璃纤维由于它的介电常数高和损耗大,通常只作为普通印制电路基板的增强材料。本文介绍了可用于微波电路基板的低介性能(εr2.35,Dk0.00007)的新型增强纤维-环烯烃共聚物纤维及其应用。通过将环烯烃共聚物纤维与玻璃纤维结合在独特的混合布中制成εr3.08,Dk0.013印制电路板基板;将混合布中环烯烃共聚物纤维熔化构成树脂的一种成分,制成εr3.25,Dk0.0013印制电路板基材;通过将含环烯烃共聚物纤维的混织布涂上独特的低介电树脂制成εr2.8,Dk0.0009印制电路板基材的试验,表明环烯烃共聚物纤维是适应当今电子技术发展要求,制作优异介电性能印制电路基板的新型增强材料,用环烯烃共聚物纤维可制出比目前最好的低介电基材质量更轻、介电性能、机械性能更有竞争力的基材。
简介:采用体视学显微镜和扫描电镜(SEM)结合X射线能谱分析(EDS)研究不同厚度0.1mol/LNa2SO4薄液膜下浸银处理电路板(PCB-ImAg)和无电镀镍金处理电路版(PCB-ENIG)的电化学迁移行为与机理结合交流阻抗谱(EIS)和扫描Kelvin探针技术(SKP)对电偏压作用后PCB金属极板的腐蚀倾向和动力学规律进行分析。研究结果表明,经电偏压作用后,在不同湿度条件下,PCB-ImAg板上银的迁移腐蚀产物数量极为有限,而在高湿度条件下(85%)下,PCB-HASL两电极间同时发现了铜枝晶以及铜/锡的硫酸盐、金属氧化物等沉积物。SKP结果表明,阴极板表面电位明显低于阳极板表面电位,具有较高的腐蚀倾向。建立电偏压作用下PCB电化学迁移腐蚀反应机理模型,并对两种电路板电化学迁移行为差异进行比较。
简介:分析一起ECU双通道故障引起的发动机空停事件,是由于连续点火时点火系统继电器触点颤动产生的电噪声产生非指令信号,引发了ECU的CPU故障造成。通过统计分析,研究航电设备的可靠性和故障趋势,发现航电故障总体趋于下降。此案例反映出航电设备的电噪声问题,电噪声属于电磁兼容问题中的一类电磁干扰现象,本综述根据航电设备的电磁兼容标准,从系统安全性、防水、防火保护、闪电、闪电防护要求、防静电保护等多方面,以审定和维修的角度,分析电子设备需要评估的特殊适航审定和维护要求。
简介:运用循环伏安法、线性电位扫描法研究木糖醇在碱性溶液(含锑)中的电化学稳定性及锑在木糖醇碱性溶液中的沉积动力学参数;采用计时电流法研究锑在不锈钢阴极上的电化学成核机理。循环伏安测试结果表明,木糖醇在碱性溶液中的稳定性较好,在-1.20V~+0.60V(vsHg/HgO)范围内无氧化还原反应发生,在电位负于-1.70V(vs.Hg/HgO)时木糖醇在锑电极上可能发生分解。在该体系中,锑在阴极上的沉积经历了不可逆电结晶过程。根据线性电势扫描结果,锑沉积的活化能、表观传递系数、交换电流密度等动力学参数分别为46.33kJ/mol、0.64和4.40×10-6A/m2。计时电流法实验结果表明,锑在碱性木糖醇溶液中的成核机理符合扩散控制下的三维连续成核模型,外加电位对晶体生长速率和恒定电位下的饱和晶核密度有显著影响。通过分析恒电位阶跃曲线,求出锑离子在该体系中的扩散系数为1.53×10-6cm2/s。
简介:当前印刷电路板呈现出两大趋势,即应用于较高的工作频率和装配中使用无铅焊,因此对介电材料的要求更苛刻,主要表现在:低介电常数、低介电损耗、高使用温度、低吸水性.热塑性材料——聚苯醚(PPE)的使用被证明能有效地提升热固性材料的性能,如优秀的耐水解性能、低吸水性、极高的玻璃化温度、在较宽的温度和频率范围内杰出的电性能,以及无需卤素阻燃剂就可达到良好的阻燃性能.研究显示,在热固性材料中使用热塑性材料,充分固化后的材料可取得多种的相态,分子交联网络结构呈现出复杂性.据报道,在广泛增强介电材料性能的材料研究中,多官能团聚苯醚低聚体取得了突破性进展.这种多官能团聚苯醚低聚体作为大分子单体可和环氧树脂反应并提升其多种性能.
简介:通过单向拉伸试验研究镁合金AZ31B的电塑性效应。为了显示脉冲电流的非热效应,在相同温度下开展两类试验:环境箱中的单向拉伸试验和脉冲电流辅助的单向拉伸试验。此外,对脉冲电流在材料变形过程中引起的温度场进行数值模拟。结果表明,沿材料截面方向温度分布均匀。通过对比两类单向拉伸试验的真应力-真应变曲线,证实了脉冲电流非热效应的存在。通过光学显微镜研究脉冲电流对材料微观组织演化的影响,结果表明:脉冲电流引起的动态再结晶对流动应力的下降起重要作用。最后,提出一个考虑电塑性响应的AZ31B流动应力模型,并通过实验进行验证。结果表明:模型预测结果和实验结果吻合较好。
简介:基于微观相场模型,通过分析Ni75AlxV25-x合金在沉淀过程中D022(Ni3V)相沿[001]方向形成的有序畴界面的界面结构、界面迁移及界面成分,研究界面结构对界面迁移特征和溶质偏聚的影响。研究表明:D022相沿[100]方向形成4种有序畴界,界面的迁移性与界面结构有关,除具有L12相的局部特征的界面(001)//(002)之外,其余3种界面都可以迁移;在界面的迁移过程中,V原子跃迁至最近邻的Ni位置并置换Ni原子,反之亦然,即处在最近邻的Ni原子和V原子发生位置交换而导致界面迁移;在迁移过程中,原子的跃迁行为具有位置选择性,每种可迁移界面都按照特定的原子跃迁模式进行迁移;原子在跃迁过程中选择最优化的路径使得界面发生迁移,原子跃迁过程中的位置选择性使得界面在迁移前、后的结构保持不变;合金元素在界面处具有不同的贫化和偏聚倾向,在所有的界面处,Ni偏聚而V贫化,Al在界面(001)//(001)·1/2[100]处贫化在其他界面处偏聚;同种合金元素在不同界面处的偏聚和贫化程度不同。