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  • 简介:利用蒸发诱导自组装技术,用液晶为模板制备有序介孔氧化钛(OMPT),探讨影响亚甲基蓝(MB)氧化降解效率的主要因素,包括MB的初始浓度、pH值和催化剂浓度。结果表明,所获得的OMPT具有二维六方介孔结构,粒径小,比表面积大,表现出高的热稳定性,这些都导致其比催化剂P25和溶胶-凝胶法制备的纳米氧化钛颗粒(NPT)有更高的降解效率。在MB浓度5mg/L、pH6和OMPT浓度1.5g/L的条件下,MB的降解率最快。总有机碳(TOC)分析表明,OMPT在240min内实现了对MB的完全矿化,其速率常数高于P25和NPT的。

  • 标签: 二氧化钛 有序介孔 液晶模板 亚甲基蓝 降解
  • 简介:基于微观相场模型,通过分析Ni75AlxV25-x合金在沉淀过程中D022(Ni3V)相沿[001]方向形成的有序畴界面的界面结构、界面迁移及界面成分,研究界面结构对界面迁移特征和溶质偏聚的影响。研究表明:D022相沿[100]方向形成4种有序畴界,界面的迁移性与界面结构有关,除具有L12相的局部特征的界面(001)//(002)之外,其余3种界面都可以迁移;在界面的迁移过程中,V原子跃迁至最近邻的Ni位置并置换Ni原子,反之亦然,即处在最近邻的Ni原子和V原子发生位置交换而导致界面迁移;在迁移过程中,原子的跃迁行为具有位置选择性,每种可迁移界面都按照特定的原子跃迁模式进行迁移;原子在跃迁过程中选择最优化的路径使得界面发生迁移,原子跃迁过程中的位置选择性使得界面在迁移前、后的结构保持不变;合金元素在界面处具有不同的贫化和偏聚倾向,在所有的界面处,Ni偏聚而V贫化,Al在界面(001)//(001)·1/2[100]处贫化在其他界面处偏聚;同种合金元素在不同界面处的偏聚和贫化程度不同。

  • 标签: 界面迁移特征 溶质偏聚 位置选择性 微观相场 有序畴界