简介：漏电流增大是集成电路的主要失效表现,通过光发射显微镜（PEM）和光束感生电阻变化（OBIRCH）技术互补地结合使用,对集成电路中常见的PN结漏电、介质层绝缘性降低、间接漏电流失效和芯片的背面分析案例进行研究,分析由过电应力、金属化桥连、静电放电损伤导致漏电的定位特性。得出以下结论：根据光发射显微镜得到的缺陷形貌和位置可以断定是否为原始失效或间接失效,结合电路分析进而可以解释发光的原因;OBIRCH对原始缺陷的定位更为准确,多层结构的背面OBIRCH分析更有优势。

简介：研究Mg和半固态加工对A356合金蠕变性能的影响。结果表明：位错攀移控制的蠕变是占主导地位的蠕变机制，它不会受到半固态加工以及进一步添加Mg的影响。Mg提高合金的抗蠕变性能主要是由于在枝晶间区域形成大量汉字型的Mg2Si。半固态加工的样品表现出比铸造样品更好的抗蠕变性能，这是由于Mg在a（A1）相中显著溶解所致堆垛层错能的减少而导致的。

简介：钛酸铝系复合材料中钛酸铝的体积分数不同，会导致Al2TiO5／Al2O3复合材料的抗铝液浸渗性能的不同。在Al2TiO5中分别按10％、20％、40％、60％、80％、90％（体积分数）引入Al2O3进行复合。通过对渗铝试样的外观形貌、微观结构分析，进而对其铝液浸渗性能进行了分析比较，发现富钛酸铝的钛酸铝／氧化铝复合材料（妒（AL2TiO5）〉40％）抗铝液浸渗性能好；而富氧化铝的钛酸铝／氧化铝复合材料（φ（Al2TiO5）〈20％）有金属铝液沿热震产生的裂纹渗入复合材料内部，容易导致复合材料断裂失效。该研究结果对可靠应用钛酸铝系复合材料作为铝液的容器具有实际工程应用价值。