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4 个结果
  • 简介:利用同步辐射对合成金刚石晶体中面状缺陷进行了形貌学研究。在晶体中观察到多个层和一个由两个层三角形组成的层四面体。计算了层及层四面体各个边界的方向指数,确定了各个层的面指数。根据层的消像规律.确定了各个层的位移矢量。除一个层为Frank型简单层外。其余层皆为既具有Frank位移,又具有Shockley位移的复合型层。分析了层的形成机理。层尺寸火小在0.68-1.15mm之间,是前人在合成及天然金刚石中从未见到的。

  • 标签: 合成金刚石晶体 层错 同步辐射 方向指数 位移 面状缺陷
  • 简介:利用同步X光透射形貌技术,研究了液封直拉(LEC)、水平布里支曼(HB)、垂直梯度凝固(VGF)三种生长技术制备的Φ2"晶片的位缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体,VGF缺陷缺陷最低,HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度梯度和杂质掺入水平,讨论了位错分布差异的原因。

  • 标签: 位错 X光形貌 GAAS晶体 半导体 生长工艺 液封直拉
  • 简介:利用原子力显微镜,同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位。首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位蚀坑的照片及定量信息,如发现铁电畴的明区要高于暗区,且两者的粗糙度明显不同。这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径。

  • 标签: KTiOAsO4晶体 原子力显微镜 同步辐射X射线形貌像 铁电畴 位错 激光倍频材料