简介：利用非线性偏振旋转锁模掺铒光纤激光器和1100m长的掺锗硅基高非线性光纤制作了超连续光源，获得了从1150～1750nm的超宽带输出光谱，其中1150～1350nm波段光谱起伏小于3dB，1600～1700nm波段平坦度优于1dB，并有很好的向长波延展空间。光谱展宽的机理为孤子分裂与受激拉曼散射，而四波混频使光谱进一步展宽。

简介：相干且频率锁定的正交多载波光源产生技术在光通信领域有着诸多应用,能广泛用于微波光子学、全光信号处理以及波分复用(WDM)技术和正交频分复用(OFDM)技术。互联网数据业务的快速增长使得超宽带大容量骨干网传输技术越来越受到世界各国的重视,而要实现Tb/s超大容量传输,目前使用的最主要的方法是光的波分复用(WDM)或正交频分复用(OFDM)技术。作为实现光WDM或OFDM的一项关键技术,相干和频率锁定的正交多波长光源技术引起了国内外各大科研机构的强烈关注。介绍了国内外多载波技术的现状以及多载波产生的多种方案,并对每一个方案进行了对比分析,为未来的研究提供了一些参考。

简介：相位法激光测距的测量精度与鉴相环节密切相关，实现高精度的距离测量要求鉴相器能够准确测量高频率调制信号之间的相位差。研究了使用正交解调的方法测量相位差，通过对ijn,4量信号和参考信号进行正交解调处理获得与相位差相关的直流偏置电平，采样并计算即可得到相位差测量结果。使用移相器配合两个正交解调模块，综合两个模块的测量结果，可以保证测量精度并分辨两路信号之间的超前滞后关系。通过实验验证，当信号频率为100MHz，信号幅度为80dBμV时，相位差的测量误差在～1°～1°。

简介：日本光学计测研究室量子部，近年来利用以小型、大功率、稳定的光源著称的半导体激励YAG激光器，实现了干涉测量的新方法，该方法通过将半导体激励Nd：YAG激光(波长1064nm的红外光)

简介：超快激光一般是指脉冲宽度短于10ps的脉冲激光,主要指短皮秒和飞秒（10-15s）激光。这个时间尺度短于激发态电子向晶格弛豫能量的所需时长,使光与物质相互作用呈现了与通常光激发显著不同的特性,也促成了其崭新的光电应用。围绕飞秒激光与物质相互作用快（作用时间短）、强（瞬态功率高）、精（非线性使作用区体积小,用作加工分辨率高）的特点,开展了系列研究,包括飞秒激光超快光谱用于光/电-电/光转换动力学探索,激光诱导气体成丝用于近程遥感探测,及飞秒激光微纳加工用于新原理、新材料微纳集成器件的制备。介绍了相关研究的进展。

简介：

简介：’97激光电光学会议的逾期论文会期间，发生了光纤激光器的交战。麻省宝丽来公司的M．Muendel首先讨论了双包层掺饵石英光纤激光器。公司研究人员用4个光纤耦合的915nm波长二极管激光条以54w功率泵浦激光光纤，在1100nm波长产生了35．5w泵浦极限输出．或在纤芯上产生140MW／cm^2的峰功率，没有产生光纤损伤或输出不稳定现象，也没有与光纤有关的其它功率限制。

简介：本世纪物理学发生了两次重要革命；相对论和量子力学。最近，超弦理论的发展被许多著名物理学家预言为是物理学第三次革命的开始，这些发展将改变人们的时间和空间观念，建立的统一理论将从根本上解决量子场论中的无穷大、粒子物理标准型中的夸克禁闭和任意参数过多等一系列问题。

简介：采用量子力学的微扰理论,对GaN基量子点结构的喇曼频移进行分析.在喇曼实验中,观察InGaN/GaN量子点结构的E2和A1(LO)的模式,并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比,有着明显的红移.

简介：日本松下技术研究公司研制出把si超微粒子作为激活区的室温可见发光器件。在真空稀有气体中进行以单晶si为靶的脉冲激光沉积，在基板上以层状沉积气相生长的si超微粒子，然后进行热氧化，形成被表面氧化膜所覆盖的Si超微粒子聚合体。

简介：去除图像中的椒盐噪声可转化为二维曲面的重建问题。选用Multi-Quadric函数对图像中损失的信息构造插值格式，自动选择待插值点和插值参考点并求解插值方程组得到处理后的图像。实验证明，本方法可以在很少破坏图像细节的情况下去除大部分甚至全部噪声，并且在噪声密度非常大的情况下仍然可以还原相当多的图像信息。对噪声密度为50％和90％的单色Lena图像进行处理，该方法得到的信噪比比自适应中值滤波高6dB以上。

简介：首先对未来系统光子器件的关键问题进行了综述。并且对半导体纳米结构，特别是基于量子点材料的超快开关器件取得的最新进展进行了讨论。其中包括基于量子点的半导体光放大器，其在超过40Gb／s的速率下展现出偏振不敏感特性；新型基于量子点的垂直腔结构的光开关，其展现出超快、节能、全光开关的特性。概括和讨论了未来基于纳米结构的光子器件的应用。

简介：Ⅲ族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系，在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年，以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展，形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视，形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状，分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题；然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态，包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状，电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势，并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。

简介：透明元抽杀方法通过对透明组元抽杀从而简化了非周期序列，不必进行复杂的计算就可以得出一维非周期超晶格薄膜系统光透率的主要特性。采用TCD方法研究了B类广义Thue-Morse[FBGTM（m）]非周期超晶格薄膜系统的光透射性质，直接得到了在中心波长处的光透射系数，所得结果和以前发表的结果完全一致。

简介：介绍了SC谱的产生机理,并通过数值计算具体分析和比较了各种光纤中高阶群速度色散(GVD)对SC谱产生的影响.结果表明:二阶GVD为正的光纤中,三阶GVD不利于平坦SC谱的形成;在色散位移光纤(DSF)的反常色散区,三阶GVD(TOD)是平坦SC谱形成的决定因素;四、五阶GVD则对反常色散平坦光纤(DFF)和色散平坦渐减光纤(DFDF)中平坦、宽带SC谱的形成起着决定性的作用.

简介：从传统光学冷加工的原理出发，分析了传统接触式加工方法中抛光剂与材料去除深度的理论关系，设计了微晶玻璃超光滑抛光过程中的抛光剂选型试验。通过比较基片的表面质量，摸索出适合微晶玻璃超光滑抛光的最佳抛光剂为金刚石微粉，成功加工出了超光滑微晶光学元件，其表面粗糙度达到0．2nm。

简介：采用真空蒸镀与化学镀两种方法制备GaN基发光二极管（LED）金电极,分析比较了两种工艺所得芯片成本、外观色差、打线拉力。结果表明,化学镀金可选择性还原欲沉积的金属于电极上,较之蒸镀整面金属,可大幅度节省金属成本,且操作简单易行。化学镀金法所制得金属层,较蒸镀法所制得金属层表面粗糙,可有效减少电极间的色差,且能提高打线或焊线的附着力。

简介：水下成像技术在诸多领域获得了越来越多的应用,然而由于受到成像器件参数、水体特性等成像系统参数的影响,水下图像的分辨率普遍较低、像质较差。基于包括点扩散函数、衍射极限等水下成像系统模型的图像超分辨率重建技术,能够在提高图像分辨率的同时增强图像质量。为了尽可能提高图像分辨率,建立了基于光束传播理论的超分辨率成像模型,并将其应用于水下脉冲激光距离选通成像结果图像的超分辨率重构。重构实验的结果表明,所提出的方法可以有效地提高水下成像的分辨率和质量。

简介：超快透射电子显微镜（UltrafastTransmissionElectronMicroscopy,UTEM）是一种能够以纳米尺度空间分辨研究超快动力学过程的前沿技术。在哥廷根大学最新的研究进展里,建造了第一台具有高度相干性电子源的第三代UTEM。通过从纳米针尖发射局域的光电子,获得高度相干的电子脉冲,能够在样品处将电子斑聚焦到数个纳米,同时具有300fs的脉冲时间宽度。介绍了利用这种先进电子光源UTEM装置的几个应用：对坡莫合金薄膜的磁涡旋纳米图案进行实空间洛伦兹成像,打开应用UTEM进行超快磁性研究的大门;通过将电子脉冲聚焦到数个纳米,我们局域地探测单晶石墨薄膜上飞秒激光激发的声学声子在边缘的传播和演化;演示了自由传播电子束在激光驱动的近场中受光学相位调制产生的电子动量态相干叠加。