简介：
简介：据报道，近期，同济大学物理科学与工程学院唐慧丽副教授、徐军教授团队采用自主知识产权的导模法技术成功制备出2英寸高质量氧化镓（β-Ga2O3）单晶。获得的高质量β-Ga2O3单晶，X射线双晶摇摆曲线半高宽27”，位错密度3．2×10^4／m^2，表面粗糙度〈5A，该项研究成果将有力推动我国氧化镓基电力电子器件和探测器件的发展。
AXT制出6英寸Inp衬底样品
第4代超宽禁带半导体β-Ga203单晶生长突破2英寸
Volta Potential Analysis of Intermetallies in 7A52 Muminum Alloy
