简介:三新奇Ba_5RNiNb_9O_(30)(R=La,Nd和Sm)陶艺在BaO-R_2O_3-NiO-Nb_2O_5系统被准备并且描绘。所有三混合物areparaelectjicphasesadopting。在房间温度的充满的四角形的钨铜(TB)结构。在1MHz,Ba_5RNiNb_9O_(30)陶艺有高电介质在范围193-245.3,在范围0.0059-0.0087的低绝缘的损失,和在范围的绝缘的常数(tau_e)的温度系数的常数-1140-1310X10~(-6)中心点degC。他们绝缘的常数的温度系数显著地Ba_5RNiNb_9O_(30)与那些相比被减少(R=La,Nd,Sm)陶艺。
简介:Thewidthandspacingofadiabaticshearbands(ASBs)intheserratedchipsgeneratedduringhighspeedorthogonalcuttingof30CrNi3MoVstructuralsteelweremeasuredbyopticalmicroscopy(OM),thetemperatureriseintheshearbandwasestimated.ThemicrostructuresoftheASBswerealsocharacterizedbySEMandTEM.TheresultsshowthatthewidthandspacingofASBsdecreasewiththeincreaseofthecuttingspeed.ThefurtherobservationsshowthatthemicrostructurebetweenthematrixandthecenteroftheASBgraduallychanges,andthatthemartensiticphasetransformation,carbideprecipitationandrecrystallizationmayoccurintheASB.
简介:为了在钨铜成立新电介质陶艺,组织,有名字的公式Ba4PrFe0.5Nb9.5O30被稳固的州的反应方法准备。微观结构和绝缘的性质用粉末X光检查衍射,领域排放扫描电子显微镜,和可变温度电介质被学习测试系统。结果证明陶艺有一个单个阶段并且与=b=的房间属于P4bm的空间组12.4839(3)?,c=3.9409(5)?,V=614.192(2)?3。频率依赖者电介质性质证明陶艺在房间温度有象Debye一样松驰,当温度依赖者电介质性质显示陶艺是relaxor,松驰由于nanopolars和氧空缺时。陶艺作为温度马厩在电子陶艺有潜在的应用多层的陶器的电容器。