简介:IBM一研究组(位于纽约的TJWatson研究中心)介绍了他们研制的栅长160hm的InGa4sMOSFET.也是为了评价当栅长与现代Si同类器件相当时,需要解决的关键问题。研究人员着手解决表面态问题,
IBM缩短Ⅲ—Ⅴ族MOSFET栅长