简介：关于全球半绝缘(SI)GaAs晶片市场“SIGaAs衬底市场：2003～2008”预测：该市场到2008年将增长54％。2002～2003年间的增长率为43％。日本和北美仍然是体晶片的主要生产者，2003年占整个市场的43％，该地区2003年SIGaAs晶片市场(外卖和自用)增加33％。亚太地区的市场增长最快，但主要以代工模式运营以便为GaAs半导体工业的发展打下基础。

简介：日本AsahiDenka和Kanasai电力公司日前开发出一种耐400℃的绝缘树脂。其中一品种牌号为“纳米树脂KA-100”，其为以聚硅氧烷为主要成分的热固性树脂，其重要特征为能粘结各种不同分子结构的纳米级化合物，故实用与潜能较可观。如将其用于SiC变换器能使发电功率达100kVA，

简介：采用真空蒸发法制备相同厚度的PbTe薄膜，再利用RF磁控溅射法在上面制备不同厚度的Ag反射膜，采用XRD、SEM、FTIR和四探针法分别对制备样品的物相组成、表面形貌、透射率和电阻率进行测试，结果显示，所制备的薄膜具有明显的〈100〉方向择优取向，呈多晶结构，随着反射膜厚度的增加，薄膜结晶性能先降低后增加；晶粒尺寸增加，表面粗糙程度先降低后增加；薄膜光学性能在一定膜厚范围内，随着反射膜厚度的增加透射率降低，超过一定膜厚时，透射率降为零；随着反射膜厚度的增加，电阻率呈先急剧降低后缓慢降低的趋势。

简介：通过控制温度和湿度,用垂直沉积法快速制备出了不同厚度的高质量二氧化硅和聚苯乙烯胶体晶体薄膜。用透射光谱和反射光谱对制备的样品的光学特性进行了表征,并与理论计算结果进行了对比分析;用衍射光谱中的布拉格衍射峰两侧的波纹测量了薄膜厚度,并对薄膜厚度对其光学特性的影响进行了分析,为用厚度调制胶体晶体薄膜光学特性和实际应用创造了条件。

简介：2003年我国绝缘材料产量达到230kt，比2000年增长35％以上。我国已成为世界绝缘材料的主要产地。

简介：韩国科学家研制出灵活到足以环绕普通铅笔的超薄太阳能电池。这种柔韧的太阳能电池可为像健身追踪器和智能眼镜一样的可穿戴电子设备供电。

简介：据物理学家组织网12月13日（北京时间）报道，一个由中国吉林大学、美国华盛顿卡内基研究所等单位研究人员组成的国际小组合作，通过对一种半导体施加压力，将其转变成了“拓扑绝缘体”（TI）。这是首次用压力逐渐“调节”一种材料，让它变成了拓扑绝缘状态，也为先进电子学应用领域寻找TI材料开辟了新途径。相关论文在线发表于《物理评论快报》上。