简介：随着电子战装备的广泛应用以及电磁脉冲武器、高功率微波武器的出现，战场空间的电磁环境日趋恶劣，使装备面临着巨大的电磁威胁，其对电子设备的破坏已经引起各国的广泛关注，因此对电子设备进行电磁脉冲保护迫在眉睫。首先分析了电磁脉冲对电子设备的危害；然后对防护效果较好的两种新型吸波材料（纳米材料、石墨烯）以及能量选择表面进行了介绍，分析了各自的优缺点及发展趋势；最后重点围绕等离子体电磁脉冲防护，介绍了其防护原理，并对国内外发展现状进行了总结与展望。

简介：为同时实现电子信息装备正常电磁环境下工作和强电磁脉冲下电磁防护的双重功能,介绍了一种在电磁场下具有变阻抗特性的智能电磁防护材料,场致电阻材料.该防护材料利用其在强电磁场下发生绝缘体/导体相变的特性,可以实现在强电磁脉冲辐射下防护材料由高阻抗向低阻抗的转变.场致电阻材料用于电磁防护具有电磁能量选择特性,对于低功率的安全电磁波可以高效透射,而对高功率的电磁脉冲则有效屏蔽,从而达到快速感知电磁环境变化并迅速调节电磁性能的要求.介绍了几种场致电阻材料,分析了其在电磁脉冲防护领域中应用的优缺点,并对未来强电磁脉冲防护材料的发展进行了展望。

简介：世界各国对电磁波屏蔽、吸收材料的研究日益重视，国内多家单位致力于该研究。已取得阶段性成果，但我国还未形成电磁波屏蔽、吸收材料产业，只是小范围的进行材料的制备。电磁波屏蔽、吸收材料的研发、产业化、市场化显得尤其重要，对其研究应增加投入力度，产业化步伐应逐渐加大，并迅速形成较大规模。

简介：采用高频脉冲电铸工艺制备出了镍钴纳米复合块体材料，利用场发射扫描电镜、能谱和X射线衍射的方法，重点研究了复合块体沉积层的表面形貌、相结构和结晶取向。结果表明．高频率和润湿剂的添加对沉积层的细化有重要影响，高频脉冲电铸能够获得微观组织致密、均匀的复合块体材料。

简介：以片状银粉为导电填料,选用双组分环氧树脂体系以及稀释剂制备了一种可室温固化的双组分导电银胶,其具有良好的导电性能和电磁屏蔽性能.表征了银粉含量与体积电阻率的线性关系,测试了银胶固化样片在全波段的电磁屏蔽效能,表征并分析银粉含量、银胶涂层厚度对电磁屏蔽效能的影响,制得了银粉含量为80％,涂层厚度为0.32mm,中频段的屏蔽效能最大值可达51.7dB,高频段的屏蔽效能最大值可达33.2dB的导电银胶.

简介：采用脉冲激光沉积技术（PLD）在氧气气氛中以高纯Zn为（99．999％）靶材，在单晶硅和石英衬底表面成功生长了ZnO薄膜。通过X射线衍射仪、表明轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究，分析了ZnO薄膜的沉积时间对其性能的影响。结果表明，采用PLD法在室温下可以制备出（002）结晶取向和透过率高于75％的ZnO薄膜，但室温下沉积的ZnO薄膜的发射性能较差，沉积时间的延长不能改善薄膜的发光性能。

简介：采用脉冲激光沉积法,在Pt/SiO2/Si的基底上制备CeO2薄膜,并使用导电原子力显微镜（ConductiveAtomicForceMicroscopy,CAFM）对CeO2薄膜的局域阻变效应及其形成机制进行了研究.结果表明,CeO2薄膜具有双极性阻变特性,且复位过程中出现多阻态,限流值的大小影响开启的导电通道数量,并对其低组态阻值和开关比有显著影响.采用导电细丝模型对CeO2薄膜的阻变机制进行分析,表明氧缺位的形成及其在电压作用下的迁移是导电细丝形成和破灭的关键.

简介：国立信息学研究所科学家成功用光脉冲控制封闭在半导体纳米构造内的电子的自旋状态，这一成果为研制超高速量子计算机打下了基础。这项成果刊登在11月13日出版的英国《自然》杂志上。

简介：采用HP-8510B微波矢量网络分析仪测试了3种不同管径碳纳米管（CNTs）的电磁参数，并对三者的电磁参数进行比较。结果表明CNTs的管径不同，其电磁性能也有所变化，随着CNTs管径增加，其复介电常数虚部不断增加，在10～18GHz高频段，管径为30～50nm的CNTs介电损耗角正切较大。根据电磁波传输线理论计算了3种碳纳米管的反射率曲线，厚度为2．0mm时，管径为30～50nm的CNTs的吸波性能最佳，模拟反射率峰值为－26．24dB；管径为20～30nm的CNTs模拟反射率峰值为－12．52dB；管径50～80nm的CNTs模拟反射率峰值为-24．1dB。

简介：在液相环境中，利用纳秒（ns）脉冲激光器轰击消融铬掺杂ZnSe（Cr^2＋：ZnSe）微米颗粒，制备出Cr^2＋：ZnSe纳米粒子，扫描电镜以及X射线衍射检测，结果显示，制备所得的粒子为平均尺寸为50nm的ZnSe闪锌矿结构纳米粒子。基于Cr^2＋：ZnSe纳米粒子，观察到中心波长为2180nm、阈值为0．4mJ／pulse的随机激光效应。相比于Cr^2＋：ZnSe晶体激光器，纳米粒子随机激光的中心波长发生了约170nm的蓝移，Cr^2＋：ZnSe纳米粒子的光致发光寿命也比Cr^2＋：ZnSe晶体要短。