简介：相变存储器作为一种新型的基于硫系化合物薄膜的随机存储器,被认为最有可能在不远的将来成为主流的非易失性存储器。本文将对相变存储器的基本概念、原理、发展现状及产业化趋势作以介绍。

简介：剑桥麻省理工学院的研究人员发现的一种磁现象可以获得更快、更高密度和更高能源效率的芯片，可以用于存储和计算。它可以减少储存的能源需求并且将检索一个数据位效率提高1万倍，材料科学与工程副教授GeoffreyBeach说。这个研究结果能克服磁性材料使用中的基本限制，形成一种全新的设计方法。

简介：近日，瑞士巴塞尔大学物理学家开发出可存储光子的存储器。光子的运动速度即为光速，是实现高速数据传输的理想选择。研究人员在几乎不改变光子量子力学特征的情况下，成功在原子蒸汽中实现了光子的写入和读取。

简介：最近，中国科学院物理研究所和化学研究所在纳米信息存储材料领域再获突破。在原来工作的基础上，他们成功地在H2Rotaxane分子薄膜中实现了可逆的电导变化和可擦除、稳定的、可重复使用的接近单分子尺度的纳米级存储。具有以上功能的材料及其在信息存储中的应用是超高密度信息存储研究的重要方向之一。

简介：新的活性碳材料可以使氢原子键合得足够牢固，以防止泄漏，但又没那么强固，在需要的时候可以挣脱。

简介：1月13日，中电海康存储芯片研发及中试基地项目开工。据悉，该项目投资13亿元，占地50亩，计划于2017年9月投用；中试运营成功稳定后，后期产业化投资将达到百亿元级规模。

简介：近日，美高森美推出八通道大容量固态硬盘数据存储控制器FlashtecNVMExpress（NVMe）2108。该控制器支持16T字节的大容量数据存储，可以17mm×17mm的规格进行封装，兼容M．2、U．2接口和半高半长插件。具备双端口独立扩频参考时钟和端至端数据保护功能。此外，还提供了可通过固件定制实现固态硬盘产品个性化的可编程架构。

简介：概述了铁电薄膜在非易失存储器中的应用研究现状，将铁电存储器与其他类型存储器进行了比较，针对铁电薄膜在存储器中的应用，探讨了铁电薄膜制备工艺与半导体工艺兼容性、极化疲劳、尺寸效应等几方面的问题，指出了当前研究的重点。

简介：中国科学院微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室借助中科大国家同步辐射实验室二次X射线光刻工艺，近日成功研制出国内首个256位分子存储器电路。