简介：硅泡沫垫层材料同其他高分子材料一样同样存在老化的问题，在使用和贮存过程中会受到温度、湿度、氧化、应力等因素的影响而发生老化，性能劣化。因此，研究其相对薄弱环节的贮存老化性能是很重要的。

简介：硅橡胶海绵的制备主要有化学发泡成型和物理成孔剂成型两种方法，但采用物理成孔剂成型后必须除去橡胶中包含的成孔剂以制得海绵材料。成孔剂可分为易溶性无机盐以及尿素等小分子易溶有机物，采用水浸泡的方式可以将成孔剂溶析出来得到泡孔。一般来说为缩短工艺时间，简化工艺流程，可采取提高水温、加快换水频率以加快成孔剂溶析速度。

简介：采用高频光电导衰退法测试了太阳能电池用p型多晶硅片的少数载流子寿命，细致分析了光注入强度对测试结果的影响。结果显示光电导衰减曲线在靠近尖峰处较宽的时间区域内并按非指数规律快速衰减，当信号衰减到一定程度后逐渐接近指数规律，且随着光注入强度增大，少子寿命的测量结果显著减小。从非平衡载流子的表面复合效应和晶界复合效应出发，对导致该现象的物理机制进行深入解释。

简介：硅泡沫是以硅橡胶混炼胶为基体材料、经硫化发泡后制得的一种多孔黏弹性高分子材料，具有许多其它材料所不能同时具备的优异性能，在军事武器装备上具有重要用途。硅泡沫作为功能部件，通常用于精密部件的定位、减振和防转，必须具有较低的压缩永久变形、高的压缩载荷保持率和长寿命等特性，而硅泡沫的这些特性都与其应力松弛有一定的关系，因此有必要研究硅泡沫压缩应力松弛的影响因素。

简介：利用电子束蒸发技术在硅衬底上镀一层2.5μm厚的含氢非晶硅薄膜,用氩离子激光器的488nm谱线作激发光线,对a-Si-H薄膜进行辐照,使a-Si-H晶化。其拉曼散射谱和电子衍射谱的结果表明,经激光辐照后,在a-Si-H薄膜中形成纳米硅粒。

简介：为了改善闪烁探测器对某些恶劣环境的适应能力，有时需要用硅凝胶对闪烁探测器内部进行灌封。灌封后的探测器在环境适应性考核（如高／低气压、随机振动、离心以及加速度等）中取得了成功，但灌封后探测器的灵敏度普遍降低。

简介：采用液相外延工艺成功制备了Tb3+,YAGG单晶荧光层,研究了Tb,+激活YAG主晶格外延层中Ga3+掺杂的荧光敏化效应,可以看到在Tb"十荧光得到显著增强的同时,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga"十掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽,并与Tb3+的’F。一,E、7E典型吸收峰发生交叠的现象,用

简介：O482.312002032290稀土铽配合物的升频转换荧光=Up-conversionfluorescencespectraofTb3+complexes[刊,中]/陈慰宗,杨一心,宋应谦,忽满得,高平安（西北大学物理系.陕西,西安（710068））//光子学报.-2001,30（8）.-970-972以波长为532nm的激光作为激发光,观测了铽（Tb）三种不同配合物的荧光光谱,讨论和分析了铽配合物的升频转换荧光的特性、发光机制及配体的影响。图

简介：本文基于迈克尔逊干涉光路,采用硅光电池作为传感器,检测橡胶板的内部气泡尺寸.该方法在橡胶板上粘贴反射铝膜,采用抽真空或加热的方法,使橡胶板内部气泡发生膨胀,从而使干涉条纹随着表面形变发生移动.基于硅光电池对于光强变化的快速响应,示波器可采集干涉条纹的移动电压脉冲信号,从而计算出橡胶板表面微小形变尺寸.

简介：通过建立一个典型的金／硅界面结构模型，对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金／硅界面的输运过程。其中，对X射线产生的次级电子在介质中的输运，采用了单次碰撞直接模拟方法；对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面，分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下，金／硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明：X射线能量为几十至几百keV时，剂量增强效应最明显，最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金／硅界面的距离增加而增加；金的厚度影响界面附近剂量增强效果，当X射线能量不变时，剂量增强系数随金的厚度增加而增加，并趋于饱和值。

简介：从光电二极管的工作原理出发,对硅光电二极管的光谱响应度进行了论述。分析表明,入射光子的能量、材料的禁带宽度和吸收系数是光谱响应曲线具有波长选择性的主要原因。

简介：O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白（中科院半导体所.北京（100083））//半导体学报.—1998,19（5）.—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15（方舟）O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明（中科院半导体所.北京（100083））,周必忠,肖方

简介：建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nmSRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能量转移（linearenergytransfer,LET）的变化关系,表明了纳米尺度下器件单粒子多位翻转的严重性,指出了单粒子多位翻转对现有重离子单粒子效应实验方法和预估方法带来的影响。构建了包含多个存储单元的全三维器件模型,数值模拟研究了不同阱接触布放位置对单粒子多位翻转电荷收集的影响机制,表明阱电势扰动触发多单元双极放大机制是导致单粒子多位翻转的主要因素,减小阱接触与存储单元之间的距离是降低单粒子多位翻转的有效方法。

简介：O482.3195021317P-GaP中离子注入缺陷的形成=Formationoftheion-implantationdefectinP—typeGaP[刊,中]/李宝军,张旭（甘肃教育学院物理系.甘肃,兰州（730000））//半导体光电.—1994,15（4）.—369—371研究了Zn+离子注入P—GaP半导体所引起的缺陷.在电流密度为0.03μA/Cm2下,将注入Zn+离子剂量为1×1014离子/厘米2的GaP样品腐蚀出蚀

简介：TB342002032291紫外光固化涂料的研究现状=ResearchstatusofUVcuringcoatings[刊,中]/白新德,查萍(清华大学材料科学与工程系.北京(100084)),尹应武(清华大学化学系.北京(100084))//清华大学学报.自然科学版.-2001,41(10).-30-32从紫外固化技术的原理出发,概述了国内外研究进展。介绍了光固化涂料的各个组成部分及其发展情况,分析其性能和结构的关系,提出了既要开展理论研究又要重视应用研究的新思路。在展望了紫外光固化涂料

简介：O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东（中科院上海技物所）,金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生（中科院长春物理所）∥红外与毫米波学报。—1995,14（4）。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增

简介：利用wittig反应和Wittig一Horner反应,合成了含有三苯胺单元的交替共聚物,它们具有良好的溶解性、成膜性和热稳定性,是一类具有较高效率的发绿光材料。通过在聚合物中引人药和联苯的结构以及在PPV单元上引人不同链长的侧基等,研究了聚合物的几何构型

简介：TB432002042855微腔对有机发光的影响的研究=Microcavityeffectsonorganicemissionlight[刊,中]/初国强,高劲松,朱万彬(中科院长春光机所.吉林,长春(130022))∥光学仪器.—2001,23(5/6).—202-205

简介：TB432003053760双通偏振干涉滤光片的研究=Researchofdouble-passpolarizationinterferencefilters[刊,中]/贺银波(浙江大学光电系,现代光学仪器国家重点实验室.浙江,杭州(310027)),熊静懿…//光学学报-2003,23(1).-89-94研究了等厚度双能偏振干涉滤光片,在此基础上提出了新型双通偏振干涉滤光片,并分析了单通、双通以及新型双通偏振干涉滤光片的光谱特性。结果表明,新型双通偏振干涉滤光片不仅具有更好的光谱特性,而且能

简介：TN2596042530光纤表面电晕等离子体漂移区电导率研究=Researchonconductivityofcoronaplasmadriftingareaonopticalfibersurface[会,中]/赵庆勋,崔志云,董丽芳,张开锡(河北大学物理系.河北,保定(071001)),张平(中科院物理系.北京(100080))∥第八届全国集成光学、第五届全国纤维光学、第三届全国孤子通信与非线性导波、全国光纤传感学术交流会.—江苏,连云港,95.9