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9 个结果
  • 简介:采用最近导出的普适分析型嵌入原子模型[generalembeddedatommethod(GEAM)],对BCC结构的Fe元素进行了描述。计算了元素Fe的单空位形成能,双空位结合能,弹性常数,结构稳定性,在(100)、(110)、(111)面上的表面能,以及元素的声子谱。计算结果和实验结果相符合

  • 标签: 普适嵌入原子模型 弹性常数 表面能 空位形成能 声子谱
  • 简介:利用温度场计算结果,计算了激光辐照下金属氧化膜厚度的增长及氧化放热;利用多层膜反射理论,结合氧化膜厚度,分析了氧化膜导致的激光吸收增强效应.结果表明,波长为1.035μm激光在功率密度为2kW·cm-2辐照期间,氧化放热对温度场的贡献很小,对工程应用来说可以忽略,而氧化膜带来的吸收增强效应影响较大,不能忽略.

  • 标签: 氧化 氧化放热 多层膜反射 激光耦合系数
  • 简介:采用溶胶-凝胶法制备了Mn离子摩尔掺杂比.32分别为0,2%,4%,6%,8%的Ba(Ti1-xMnx)O3电薄膜。研究发现:当x为6%时,漏电流和矫顽场均达到最小,与未掺杂时相比,漏电流降低了约3个量级,矫顽场电场强度降低了约60%,P—E回线的矩形度增加。实验结果表明:通过适量掺杂Mn离子,可以改善BaTiO3电薄膜电学性能,提高电薄膜的极化,降低薄膜的漏电流。

  • 标签: 铁电薄膜 Ba(Ti1-xMnx)O3 掺杂 漏电流 电滞回线
  • 简介:实验研究了大气环境下纯薄片样品在1070nm连续激光辐照下的耦合特性变化规律,并通过控制激光辐照时间获得了不同反射率和氧化状态的纯氧化层样品。利用椭偏光谱法研究了不同氧化状态纯氧化层在1070nm处的折射率和消光系数,基于椭偏反演结果和氧化层的微观形貌,提出了激光辐照下初期生成的α-Fe2O3氧化层等效折射率随膜厚变化的分段表征,并进一步修正了计算金属氧化层激光反射率的多光束干涉模型。利用修正后的模型计算了纯在激光辐照过程中的反射率变化规律,与实验结果吻合较好。

  • 标签: 反射率 激光辐照 氧化层 光学常数 椭偏光谱
  • 简介:利用原于力显微镜研究了KTiOAsO4晶体的电畴,发现了这一实验方法的诸多特点。如放大倍数高,可以得到晶体表面的定量信息等,得到了KTiAsO4晶体电畴的原于力显微镜照片,并结合化学腐蚀光学显微法的实验结果进行了研究。最后对电畴的机制与消除进行了理论讨论。

  • 标签: 原子力显微镜 KTiOAsO4晶体 铁电畴 铁电晶体 化学腐蚀光学显微法
  • 简介:采用第一性原理方法从原子尺度研究了SrTiO_3缓冲层对Pt/PbTiO_3/Pt电电容的极化强度和稳定性的影响。针对PbO和TiO_22种不同终端表面的PbTiO_3电电容,在Pt与PbTiO_3的下界面处逐层引入SrTiO_3缓冲层,研究了PbTiO_3薄膜极化性质的演化规律。结果表明,引入SrTiO_3缓冲层会不同程度地破坏PbTiO_3薄膜的极化对称性,使指向上表面的极化状态更为稳定,这对于要求双稳极化状态的电存储器是不利的。

  • 标签: 铁电薄膜 缓冲层 界面 极化对称性破缺
  • 简介:目的:1.对现有的CO_2重整系统中铁系催化剂进行改进以期获得更高的产率和产物选择性;2.实现反应体系中催化剂的高效回收以延长反应体系的可持续性。创新点:1.开发复合、镍、铜催化剂用于水煤气变换反应,获得了更高的产物选择性;2.提高了CO_2重整体系在常压条件下液态烃类的产率。方法:1.由核心沉淀法制得复合/氧化铝催化剂;2.在固定床反应器中进行CO_2重整反应。结论:1.干、湿条件下的CO_2重整过程产生相同数量的CO;当温度高于500°C时,CO的产率达到饱和。2.采用镍作为催化剂助剂时,CO的选择性从85%降低到76%,但是产物中可检出9%的甲烷。3.采用铜作为催化剂助剂时,尽管CO_2的转化率降低了一半,然而CO的选择性提高到了95%。

  • 标签: 铁催化剂 二氧化碳减排 水煤气变换 甲醇合成
  • 简介:采用sol-gel方法在石英玻璃衬底上制备出α轴取向的多晶Bi4Ti3O12(BIT)薄膜,根据透射谱曲线得到薄膜样品的线性折射率为2.35,线性吸收系数为9.81×10^3cm^-1,光学带隙宽度为3.60eV。以脉宽300fs,波长800nm的钛蓝宝石脉冲激光为光源,利用单光束Z-scan技术测得薄膜样品的双光子吸收系数为100.31GW·cm^-2,三阶非线性折射率为-1.02×10^2GW·cm^-2。实验结果表明,所制备的BIT电薄膜具有大的非线性光学系数,适合应用于光子器件的制备。

  • 标签: BI4TI3O12 铁电薄膜 Z-SCAN 三阶非线性光学
  • 简介:制备了金属-电层-绝缘层-半导体(Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS)二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明:该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h(相当于常温下测量60d)后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。

  • 标签: 铁电存储器 MFIS 存储窗口 疲劳 保持 BNT