简介:垫层材料在装置中常常填充部件与部件之间的间隙,并对某些部件起保护作用,垫层在以前的使用中是采用双面胶带进行粘贴,目前采用了在垫层表面表糊压敏胶的工艺以代替双面胶,由于压敏胶直接表糊在垫层表面,对垫层力学性能的影响就成为生产和使用单位关注的重点之一。研究了垫层带胶前后的厚度、压缩应力应变曲线、压缩应力松弛等性能的变化,研究结果表明:垫层涂胶后,厚度(包括胶层)比不涂胶的厚度略小0.01112111、垫层涂胶后压缩性能变硬、压缩永久变形增大、在相同应力下,应变略小2%-4%,影响最大的是应力松弛,带胶垫层的应力松弛超过了25%。
简介:铍为脆性材料,在焊接时容易使焊缝开裂。为了防止焊缝开裂,途径之一是加延展性比较好的金属或合金(如Al-Si合金或银等)作填充材料进行钎接焊。但是,铍在非真空条件下焊接,在焊缝中出现的主要缺陷是焊接气孔和缩孔。人们早已知道,纯铝在焊接或铸造时的加热过程中会吸收环境中的氢,冷却时熔体要释放氢从而形成以氢为特征的氢气孔,进而影响铝加工的质量。这表明铝及铝合金焊接形成的气孔主要是与焊接时熔体的氢含量有关。那么,在加Al-Si合金焊接铍时,产生的气孔是否也与氢含量的关系,Al-Si合金熔体随温度升高氢含量有何变化趋势,Al-Si合金中的Si对铝熔体的吸氢起何作用。
简介:建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nmSRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能量转移(linearenergytransfer,LET)的变化关系,表明了纳米尺度下器件单粒子多位翻转的严重性,指出了单粒子多位翻转对现有重离子单粒子效应实验方法和预估方法带来的影响。构建了包含多个存储单元的全三维器件模型,数值模拟研究了不同阱接触布放位置对单粒子多位翻转电荷收集的影响机制,表明阱电势扰动触发多单元双极放大机制是导致单粒子多位翻转的主要因素,减小阱接触与存储单元之间的距离是降低单粒子多位翻转的有效方法。