简介：TQ174.758.2399053410半导陶瓷的红外吸收谱和喇曼散射谱=InfraredabsorptionandRamanscatteringspectraofsemiconductingceramics[刊,中]/胡绪洲,杨爱明,胡晓春（云南大学物理系.云南,昆明（650091））//半导体学报.—1998,19（7）.—503—509ZrO2.SiO2.P2O5半导陶瓷是由ZrO2、SiO2和H3PO4用高温同相反应制成。它的傅里叶红外吸收谱是

简介：TQ174.758.2396032015掺杂Cr2+和Nd3+玻璃陶瓷的光谱特性=SpectroscopiccharacteristicsofCrandNddopedglass-ceramics[刊,中]/端木庆铎,苏春辉（长春光机学院材料工程系.吉林,长春（130022））//功能材料.-1995,26（1）.-48-51根据分相成核原理,通过一步热处理过程,制备了双掺杂B2O2-Al2O3-SiO2系统透明玻璃陶瓷。XRD分析确定主晶相为莫来石固溶体;分别测定了材料的吸收光谱、发射光谱和荧光寿命,分析讨论了铬和钕格位分布及光谱特点。图5表1参7（赵桂云）TQ325.796032016光学塑料的性能评价、应用及改性研究=Propertyevaluations,applicationsandmodificationstudiesofopticalplastics[刊,中]/杨柏,高长有,沈家骢（吉林大学化学系.吉林,长春（130023））//功能

简介：目前，硬质聚氨酯泡沫塑料（RPUV）在包装、运输减震及支撑材料的研究中已经得到了广泛的应用。但是未经阻燃处理的硬质聚氨酯泡沫塑料的氧指数仅约为17，易燃且不易自熄，存在极大的安全隐患。结合聚氨酯泡沫塑料的阻燃性能及燃烧特点，采取固相阻燃机理，选用环保型的膨胀阻燃体系可膨胀石墨（EG）作为添加型阻燃剂，探索了EG对聚氨酯泡沫塑料的阻燃性能、力学性能的影响。

简介：采用液相外延工艺成功制备了Tb3+,YAGG单晶荧光层,研究了Tb,+激活YAG主晶格外延层中Ga3+掺杂的荧光敏化效应,可以看到在Tb"十荧光得到显著增强的同时,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga"十掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽,并与Tb3+的’F。一,E、7E典型吸收峰发生交叠的现象,用

简介：O482.312002032290稀土铽配合物的升频转换荧光=Up-conversionfluorescencespectraofTb3+complexes[刊,中]/陈慰宗,杨一心,宋应谦,忽满得,高平安（西北大学物理系.陕西,西安（710068））//光子学报.-2001,30（8）.-970-972以波长为532nm的激光作为激发光,观测了铽（Tb）三种不同配合物的荧光光谱,讨论和分析了铽配合物的升频转换荧光的特性、发光机制及配体的影响。图

简介：选用90Sr-90Yβ放射源照射自制的塑料闪烁探测器，测量了光子在塑料闪烁体内部的传输时间，计算出传输速率和不确定度，为以后的核物理实验计算以及闪烁体参数测量提供相关数据参考。

简介：O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白（中科院半导体所.北京（100083））//半导体学报.—1998,19（5）.—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15（方舟）O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明（中科院半导体所.北京（100083））,周必忠,肖方

简介：在初中物理课中，使用矿泉水塑料瓶来做物理实验，取材方便，现象直观，效果明显，不仅有利于加深对物理知识的理解，培养学生创新能力，而且也是贯彻新课标中“从生活走向物理，从物理走向社会”这一新课程理念行之有效的方法．下面举一些实验，供大家参考．

简介：硬质聚氨酯泡沫塑料是聚氨酯材料体系中最重要的品种之一，它是以聚氨酯树脂为基体，经发泡工艺制作而成的泡沫材料。由于硬质聚氨酯泡沫塑料在使用过程中有可能发生老化而导致其力学性能发生变化，因而老化性能的研究和贮存寿命的评估是硬质聚氨酯泡沫塑料的一个重要研究方向。

简介：O482.3195021317P-GaP中离子注入缺陷的形成=Formationoftheion-implantationdefectinP—typeGaP[刊,中]/李宝军,张旭（甘肃教育学院物理系.甘肃,兰州（730000））//半导体光电.—1994,15（4）.—369—371研究了Zn+离子注入P—GaP半导体所引起的缺陷.在电流密度为0.03μA/Cm2下,将注入Zn+离子剂量为1×1014离子/厘米2的GaP样品腐蚀出蚀

简介：TB342002032291紫外光固化涂料的研究现状=ResearchstatusofUVcuringcoatings[刊,中]/白新德,查萍(清华大学材料科学与工程系.北京(100084)),尹应武(清华大学化学系.北京(100084))//清华大学学报.自然科学版.-2001,41(10).-30-32从紫外固化技术的原理出发,概述了国内外研究进展。介绍了光固化涂料的各个组成部分及其发展情况,分析其性能和结构的关系,提出了既要开展理论研究又要重视应用研究的新思路。在展望了紫外光固化涂料

简介：O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东（中科院上海技物所）,金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生（中科院长春物理所）∥红外与毫米波学报。—1995,14（4）。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增

简介：利用wittig反应和Wittig一Horner反应,合成了含有三苯胺单元的交替共聚物,它们具有良好的溶解性、成膜性和热稳定性,是一类具有较高效率的发绿光材料。通过在聚合物中引人药和联苯的结构以及在PPV单元上引人不同链长的侧基等,研究了聚合物的几何构型

简介：TB432002042855微腔对有机发光的影响的研究=Microcavityeffectsonorganicemissionlight[刊,中]/初国强,高劲松,朱万彬(中科院长春光机所.吉林,长春(130022))∥光学仪器.—2001,23(5/6).—202-205

简介：TB432003053760双通偏振干涉滤光片的研究=Researchofdouble-passpolarizationinterferencefilters[刊,中]/贺银波(浙江大学光电系,现代光学仪器国家重点实验室.浙江,杭州(310027)),熊静懿…//光学学报-2003,23(1).-89-94研究了等厚度双能偏振干涉滤光片,在此基础上提出了新型双通偏振干涉滤光片,并分析了单通、双通以及新型双通偏振干涉滤光片的光谱特性。结果表明,新型双通偏振干涉滤光片不仅具有更好的光谱特性,而且能

简介：TN2596042530光纤表面电晕等离子体漂移区电导率研究=Researchonconductivityofcoronaplasmadriftingareaonopticalfibersurface[会,中]/赵庆勋,崔志云,董丽芳,张开锡(河北大学物理系.河北,保定(071001)),张平(中科院物理系.北京(100080))∥第八届全国集成光学、第五届全国纤维光学、第三届全国孤子通信与非线性导波、全国光纤传感学术交流会.—江苏,连云港,95.9

简介：TB38120050323593mm涂层隐身材料的天线温度模型=Antennatempera-turemodelof3mmcoatingstealthmaterial[刊,中]／缪晨(南京理工大学毫米波、光波近感技术所．江苏,南京(210094)),娄国伟…∥红外与毫米波学报．-2004,23(3)．-221-224根据电磁场理论导出了3mm涂层隐身材料的辐射率,在此基础上建立了涂层隐身材料的辐射计天线温度模

简介：TN252002042759光纤智能结构自诊断、自修复的研究=Researchonself-diagnosisandself-repairingusinghollow-centeropticalfibersinsmartstructure[刊,中]/杨红,梁大开,陶宝祺,邱浩,曹振新(南京航空航天大学测

简介：美国莱斯大学研发的一个原子级薄的材料,这或可能导致研发目前最薄的成像平台。基于金属硫族化合物的合成二维材料可能是超薄设备的基础,莱斯大学的研究人员这样表示。其中一个这样的材料二硫化钼,因其检测光的特性而被广泛研究,但是铜铟硒化物（CIS）也表现出同样非凡的潜力。莱斯大学材料学科学家普利克尔·阿加延（PulickelAjayan）实验室的研究生雷思东（SidongLei）合成了CIS,一种单层铜、铟和硒原子矩阵。

简介：TN2522002010395紫外写入SiO2平面光波导制作新方法研究（三）:光波导制作=Fabricationofplanarsilicawaveguidesbydi-rectUVwriting[刊,中]/葛璜,安贵仁,周凯明（中科院半导体所.北京（100083））,孙明武（中国建材科学研究院玻璃所.北京（100024））∥光子学报.—2000,29（Z1）.—399-403