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4 个结果
  • 简介:本文就“介质磁化中附加分子磁矩△Pm之成园”问题谈了自己的看法。旨在论述“产生附加分子磁矩△Pm的原因,不是感生电场力,而是外磁场B0对核外电子的洛仑兹力作用”,并就两种特殊情况下之附加电子轨道磁矩作了定量分析,给出了附加分子磁矩△Pm与B0之定量关系。

  • 标签: 附加分子磁矩ΔPm 附加电子轨道磁矩ΔPem 感生电场力 洛仑兹力FB
  • 简介:介绍了针对标准椭圆封头卧式地埋储罐,利用液位高度的变化获知其内所装介质的体积和重量的计算式,并如何运用西门子S7300系列PLC对计算式进行编程,以便快速、方便的获取体积或重量数据,并应用到自动化控制工程上,用以测量和监控。

  • 标签: 储罐 卧式 PLC 梯形图 液位
  • 简介:10kV架空配电线路采用绝缘导线代替裸导线是配电网建设与改造中的一项实用技术。它具有地埋电缆的一系列优点,又能克服架空裸线的许多缺点,能有效解决常规裸导线在运行过程中遇到的一些难题,降低事故率,增强供电可靠性。近年来,10KV线路绝缘化已成为我们调兵山地区配电网改造的工作重点。

  • 标签: 架空 绝缘导线 施工
  • 简介:栅电荷提供关于功率MOSFET的电容、驱动需求和开关功耗等信息,是衡量MOSFET性能的主要指标。基于Won-SoSon等人提出的SOI基绝缘槽结构LDMOS(TR-LDMOS)的RESURF条件,建立器件的栅电荷分析模型,发现TR-LDMOS所需Qgd比普通RESURFLDMOS(LR-LDMOS)少13.85%,所需Qg比LR-LDMOS少17.65%;完成对密勒电容充电的时间TR-LDMOS要比LR-LDMOS少用50ns。在TR-LDMOS模型基础上,结合仿真对沟道区不同时刻栽流子分布的描述,更细致地阐述了功率器件在开启过程中的状态变化;并且应用比较分析的方法,解释无源器件对TR-LDMOS开启的时间和功耗所产生的影响。在降低功率器件开启功耗的原则下,得到有助于器件设计的应用性结论。

  • 标签: 栅电荷 开关功耗 绝缘槽 SOI LDMOS RESURF