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  • 简介:基于体锗的能带结构,从理论上计算分析了张应变和N型掺杂对锗能带结构的调节。张应变使价带和导带的能级分裂、偏移,N型掺杂使费米能级偏移,从而将锗调节为准直接带隙材料。当单独引入0.018的张应变时,锗变为准直接带隙,直接带隙为0.53eV。当单独掺杂N型杂质9.5×1019cm-3时,锗的费米能级到达Γ带底。引入适量的张应变和N型掺杂浓度,既有利于锗能带结构的调节,又有利于材料的实际制备。研究结果为锗发光器件的设计和制作提供借鉴。

  • 标签: 张应变 N型掺杂 能带 发光器件
  • 简介:以创业板制造业企业2010—2015年的数据为研究样本,分析了CEO过度自信与并购的关系,并探讨了组织冗余对两者关系的作用。研究结果表明:(1)创业板制造业企业CEO过度自信与并购呈现正相关的关系,即CEO越自信,企业并购强度越大;(2)组织冗余在CEO过度自信与并购的关系中起调节作用。其中.可利用冗余、可恢复冗余以及潜在冗余对两者的关系均起到正向调节的作用,即企业冗余资源越多。CEO过度自信与并购的关系越强。

  • 标签: 创业板 CEO过度自信 并购 组织冗余