简介:以商洛某铅锌尾矿库的铅锌冶金炉窑渣制得的醋酸锌为锌源,尿素为沉淀剂,采用金属离子掺杂的方法制备掺杂金属离子的ZnO粉体.以水体中亚甲基蓝(MB)的光催化脱色降解为模型反应,对各掺杂样品掺杂配比进行优化,考察了光源条件对各掺杂ZnO光催化活性的影响,并对ZnO循环使用的光催化稳定性进行测试.研究表明:掺杂Sn、Ag、Al元素的纳米ZnO,在Sn、Ag、Al与Zn配比分别为1∶9、1∶40、1∶20时,各掺杂样品的催化活性较高.在模拟可见光照射下,各掺杂ZnO样品较纯ZnO对可见光的吸收有一定的增强,在可见光下降解180min后,相应MB溶液的降解率分别达70.8%、64.8%和53.0%.通过循环测试发现,掺Sn氧化锌样品循环使用3次后,其光降解率仍在95%以上,循环5次时,其光解率仍高于90%.
简介:采用溶肢-凝肢法提拉镀膜制备Sn掺杂ZnO薄膜,研究了空气退火、高真空退火(10-2Pa)、低真空退火(1Pa)和循环退火四种条件下Sn掺杂浓度对SZO薄膜光电性能的影响.结果表明:四种退火条件下不同Sn掺杂浓度时制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有C轴择优取向生长特性,当Sn掺杂浓度为5at.%时SZO薄膜的结晶生长最好.高真空退火条件下Sn掺杂浓度为3at.%时,电学性能最优,其电阻率可达到5.4×10^-2Ω·cm.当Sn掺杂浓度小于3at.%时,薄膜的可见光区平均透过率均大于85%,当掺杂浓度高于3at.%时,薄膜的透过率随着掺杂浓度的增大而降低.
简介:生长了一种新配比的铒掺杂铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅单晶(25PIN-44PMN-31PT-0.02Er2O3),并对晶体做了完整的冷加工和极化,得到了沿〈001〉方向极化的晶体样品.在室温下利用椭圆偏振仪测量了晶体的折射率谱,通过最小二乘法拟合得到了晶体的赛尔迈耶尔方程各参数.其中Eo=5.471eV;Ed=22.56eV;k=227nm;So=0.8002×10^14m-2.利用紫外-可见-红外分光光度计获得了晶体透射率谱,晶体紫外吸收边为400nm.同时通过计算得到了样品的禁带宽度为2.94eV.
简介:摘要:本文采用密度泛函理论和含时密度泛函理论,分别计算研究了量子点团簇(CdSe)N (N = 6、13和19)和过渡金属掺杂量子点团簇CdN-1SeNV、CdN-2SeNV2(N = 6、13和19)的结构和光学性质,探讨了过渡金属掺杂比例和量子点尺寸效应对结构和紫外可见吸收光谱的影响。为制备稀磁半导体提供理论依据。
简介:利用电子掺杂铜氧化物超导体的t-t'-t"-J模型,采用奴役玻色子平均场近似方法,计算了在反铁磁态下铜氧化物超导体的化学势分别与掺杂度、温度的关系,最后得到化学势在低温下存在着相变。
简介:采用固相反应法将五水硝酸铟(In(NO3)3·5H2O)、硝酸银(AgNO3)混合作为前驱体,在室温下研磨反应得到混合物颗粒,在600℃的温度下煅烧2h,可得银掺杂的In2O3的纳米颗粒,然后组装成气敏传感器。利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X-射线光电子能谱仪(XPS)、气敏测试系统(WS-30A)对薄膜进行表征及气敏性能测试。结果表明,制备的银掺杂In2O3的纳米颗粒直径约为80nm,银颗粒在煅烧过程中已经渗透进立方晶型的In2O3晶格中。相比较纯的In2O3传感器,银掺杂后的In2O3传感器对乙醇显示了更高的灵敏度、更高的选择性以及理想的工作温度。对银掺杂的含量、乙醇蒸汽的浓度以及工作温度对气敏性能的影响进行了分析,发现10%mol含量的银掺杂试样在150℃的温度下,对乙醇蒸汽呈现出了最大的灵敏度与最高的选择性。也讨论了银掺杂对InO的气敏性能的影响。
简介:摘要:光催化氧化降解法降解染料废水是目前研究的热点。本文通过金属及非金属掺杂改性的方法,合成得到了具有锐钛矿晶型结构的介孔二氧化钛催化剂。研究结果表明,该催化剂在500W卤钨灯照射条件下,可见光催化降解甲基紫染料具有较好的光催化活性。