简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：碳化硅[SiC]优越的材料性质为电力电子器件提供了比传统的硅基器件更优越的性能。最近开发了一种1200V、50A的SiCDMOSIrET已用于开关电路。在此基础上，又研制了一种1200V，550A完全用SiC的对偶模块。本文阐述其中每个开关用11个SiCDMOSFET和11个SiCJBS＊组成的先进对偶模块的实验特性。

简介：综合评述诸如肖特基势垒二极管、pn结二极管、功率MOS、功率JFET、BJT、GTO、GCT以及功率模块等各种碳化硅电力电子器件研究开发的最新进展及其发展前景，指出碳化硅的优势不仅仅限于能提高功率开关器件的电压承受能力、高温承受能力和兼顾频率与功率的能力，还在于能大幅度降低器件的功率消耗，使电力电子技术的节能优势得以更加充分的发挥；文章还对碳化硅器件在电力电子领域特别是电力变换器方面的初步应用及开发情况也做了简略介绍。

简介：开关型电源(SMPS)在通常便携式计算机中占总重量的10%以上,因此,厂商们致力于提高功率密度和效率。为减小尺寸和重量,目前有三种方法:①减小总功耗,以减小冷却部件(散热片或风扇)。②提高开关频率,以减小无源元件尺寸和减小用来降低噪音的EMI滤波器尺寸。③选用SiC肖特基二极管,

简介：我国在二十世纪七十年代末八十年代初，开始从国外引进了大量生产线，其中电子生产线比较多。随之配套引进的氟氯烃清洗技术和设备，也开始在我国推广使用。当时，氟氯烃清洗是国际上广泛使用的电子清洗技术。电子线路板上使用氟氯烃清洗比较早，使用厂家很多，使用量也比较大，对提高我国电子产品的清洁度和可靠性，发挥了重要作用。但进入二十世纪八十年代后期，国际上为保护臭氧层制订了《蒙特利尔议定书》，决定对氟氯

简介：1．化学镀镍／金发展的背景印制电路板，无论是单面、双面或多层板都是用于电子元器件连接为主的互连件。它是通过自身提供的线路和焊接部位，焊接上各种元器件，例如电阻、电容、半导体集成芯片，集成电路模块之后成为具有一定功能的电子部件。因此，PCB上必须有导通孔，焊垫或连接盘。早先的可焊性镀层是用图形电镀法产生的Sn／Pb抗蚀镀层，经过热熔后供给用户去装配元器件。

简介：在无氰电镀液镀槽内电镀铁镍合金基础上利用激光化学镀金导线而形成精细电路图形。激光的功率和扫描速度直接影响导线的高度和宽度。能获得均匀的高度和宽度金导线和与导体最好的结合力。如导体的高度为0．7μm和宽度为37μm，这时的激光功率为0．5W和扫描速度为5μm／s。

简介：

简介：化学沉银是近年新兴起的印制板表面处理工艺，预料沉银和浸锡会成为下一代主流的表面涂覆工艺。本文概述化学沉银工艺流程、工艺参数、制程要点，质量要求等，同时结合生产实际，对沉银工艺影响因素，常见问题及解决方法阐述了自己的实践应用体会。

简介：本文阐述以小型、低电感的功率模块，获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率，本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC（碳化硅）二极管。作为示范，苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率，功率密度高达8．5kW／l（85W／cm3），高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。

简介：本文阐述了RCC材料与化学蚀刻法制作高密度互连制板的工序和详细方法，意在探录最为经济、简单而又行之有效的工艺。

简介：为了贯彻国家信息产业部，从事印制电路生产关键岗位必须持证上岗的指示。中国电子学会生产技术学分会邀请国内具有丰富理论知识和实践经验的专家为国家信息产业部“印制电路岗位培训”编写的教材2005年版“印制板电镀、化学镀技术及三废治理“即将出版。全书共近40万字，全面系统的论述了印制电路生产中电镀、化学镀生产技术，国内、国际标准要求、检测方法，生产中所产生的三废及治理方法。同时也将介绍国内外最新的电镀、化学镀的生产设备、材料和企业。