学科分类
/ 1
3 个结果
  • 简介:那年我们出访瑞士,安排顺访位于楞次堡(Lenzburg)的电力半导体器件生产线。初联系时还是BBC,3个月后成行时就已经是ABB了(瑞典ASEA公司和瑞士BBC公司合并为ABB公司)。ABB的朋友带我参观了3-4英寸晶闸管芯片生产线之后,我问到这种全压接式结构——硅片同热补偿片(钼片、钨片)之间没有任何合金过程——相关的强度问题。这位朋友递给我1片报废了的3英寸硅片,问我能不能用手把它掰碎。在国内,大家都知道硅片很脆,3英寸大片一掰很容易碎。可是,此时此地的3英寸硅片却难以破掰碎。我马上联想到,国内用的是(111)面的硅片,这里可能用的是(100)面的硅片。(111)面是硅的解理面,机械强度很差。(100)面机械强度高多了,所以难以一下子掰碎它。在(100)面上,找到<111>方向,顺与之垂直的位置使劲,费了一番周折,该硅片才碎成几块,其破口全是斜坡,坡面即(111)面解理面。

  • 标签: 晶各向异性
  • 简介:利用核反应^30Si(n,γ)^31Si→β^-^31P,硅可以被掺磷。其电阻率被定在2-200Ω·cm之间的值,测得的电阻率分布情况表明,掺杂剂的宏观均匀分布。从二极管发射出的击穿辐射照片证明,这种硅还具有电阻率的微观起伏呈无条纹状分布的特点。用这种均匀掺杂硅制备的二极管和晶闸管具有400~5200V的电压阻断容量。

  • 标签: 核反应掺杂硅 电阻率均匀 无条纹 二极管 晶闸管 阻断容量