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基于STripFET技术的低压MOSFET

作者：
学科：电子电信 > 电路与系统
创建时间：2004-11-21
出处：《电子元器件应用》 2004年第11期

简介：ST公司近日推出基于STripFET技术的低压N通道MOSFET，适用于计算机底板和电信领域内的高频转换应用。STripFET技术采用优化的版面没计和新颖的制造工艺，可改善选通电极、栅电阻和输入电容特性。提供超低品质因数，可减少传导和转换损失。
标签： MOSFET 品质因数 ST公司低压高频电信

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低压静止无功发生器的实验研究

作者：孙洪亮;林忠岳;冷海滨
学科：电子电信 > 电路与系统
创建时间：2005-10-20
出处：《变频器世界》 2005年第10期

简介：静止无功发生器已经成为系统电压调整和无功补偿的重要设备。本文在简单分析SVG基本原理的基础上，介绍了无功补偿原理，提出了具体的硬件设计和软件设计，并进行了相关的实验。取得了部分实验波形。验证了SVG的补偿作用。
标签：静止无功发生器无功补偿整流逆变

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沟槽栅低压功率MOSFET的发展（下）——减小优值FoM

作者：张娜;吴晓鹏;亢宝位
学科：电子电信 > 电路与系统
创建时间：2004-04-14
出处：《电力电子》 2004年第4期

简介：近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。
标签：电力半导体器件金属氧化物-半导体-场效应晶体管通态电阻优值

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沟槽栅低压功率MOSFET的发展（上）——减小漏源通态电阻R DS（on）

作者：吴晓鹏;张娜;亢宝位
学科：电子电信 > 电路与系统
创建时间：2004-04-14
出处：《电力电子》 2004年第4期

简介：近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。
标签：电力半导体器件金属-氧化物-半导体场效应晶体管通态电阻优值

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