简介：利用核反应^30Si(n,γ）^31Si→β^-^31P，硅可以被掺磷。其电阻率被定在2-200Ω·cm之间的值，测得的电阻率分布情况表明，掺杂剂的宏观均匀分布。从二极管发射出的击穿辐射照片证明，这种硅还具有电阻率的微观起伏呈无条纹状分布的特点。用这种均匀掺杂硅制备的二极管和晶闸管具有400～5200V的电压阻断容量。
简介：
简介：介绍了基于MACSⅡ系统并结合过程控制实验装置来开发集散控制实验教学系统的设计方法，阐述了系统的硬件设计和软件组态设计开发思想。该系统既能满足实验教学需要，同时也可为科研工作提供便利。
用无条纹硅制造的整流管和晶闸管的击穿行为
认清行为形势 配合淘汰工作ODS清洗剂使用许可证发放进展综述
基于MACSⅡ的集散控制实验教学系统的开发
