简介：<正>据《今日电子》2003年4期报道,InternationalRecitifer公司推出新型WARP2600V/50A,35A和20A不穿通(NPT)的IGBT,改善了大电流开关电源(SMPS)的关断性能。WARP2IGBT和HEXFRED二极管共同封在一起,采用IR的薄硅晶片技术制造,能保证少数载流子的耗尽时间更短,从而加快关断,可以忽略关断尾巴电流,关断开关损耗

简介：文章介绍了一种Ku波段600W固态合成功率放大器的工程实现。根据工程应用的实际要求,该固态功率放大器采用多芯片多级合成,每级功率合成采用了不同的合成方式。其中芯片级合成选择了微带合成方式,模块级合成选择了多腔体空间耦合合成结构,组件级合成选择了波导合成方式。固放以6.5W的MMIC功放单片为基本单元,共采用了128个功放单片合成出大于600W的脉冲峰值功率,功率附加效率高达18.5%,并具有脉冲速度快、频谱纯净、体积小、可靠性高、工程上容易实现等优点。

简介：电路板品质允收规格IPC-A-600G出版日期：2004年11月本文件手册系针对电路板的内部或外部观察所得，就其理想．允收与不合格等情况而加以说明．本手册亦遵循IPC-6010系列与ANSI/JSTD-003等，不同电路板成文规范所宣示之各种起码品质要求者，担任一种目视解说的角色．

简介：基于增强型混合激励线性预测（MELPe）模型，设计了一款600bps低速率语音编码器。该编码器在保持MELPe算法特征的同时，利用相邻帧的帧间冗余，把连续的三帧构成一个超帧，对超帧采用多模式预测和多级矩阵量化技术进行联合量化。同时针对超帧的不同模式，通过预测系数对相邻超帧的模式转换进行处理，实现线谱对参数（LSF）的矢量量化。最后对基音周期与增益参数进行联合量化，进一步提高量化效率，完成一款在600bpsT仍具有较好合成语音质量的语音编码器的设计。

简介：<正>Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后,日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品,还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中,变化较大的是GaN功率元件。最近,耐压600V的新款GaN功率晶体

简介：基于能效的考虑，当前生产的功率模块不仪对工作表现提出了更严格的要求，同时在封装密度方面也提出了新标准。对应的即使是表面上最细微的残留物，也会对这些极其敏感的应用中器件的稳定性产生不良影响。

简介：<正>瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率