简介:近两年,随着以光伏太阳能发电(PV)为标志的全球绿色能源经济的兴起,中国在全球太阳能硅片及太阳能组件的生产领域逐渐上升为全球第一大国。2010年12月,财政部、科技部、住房和城乡建设部、国家能源局等四部门联合在北京召开加快推进国内光伏发电规模化应用会议,公布了首批13个光伏发电集中应用示范区名单,并确定2012年以后每年国内应用规模不低于1000兆瓦,形成持续稳定、不断扩大的光伏发电应用市场。2010年中国光伏太阳能行业有哪些重要进展?中国光伏行业前景如何?中国光伏企业如何保持持续运营?具有传统优势的材料供应商,又将在这一新兴行业有何作为及贡献?本刊特邀汉高光伏解决方案市场经理TomAdcock为我们解读2011年中国光伏行业发展趋势。
简介:Theinvertedbottom-emittingorganiclight-emittingdevices(IBOLEDs)wereprepared,withthestructureofITO/A1(xnm)/LiF(1nm)/Bphen(40nm)/CBP:Girl(14%):R-4b(2%)(10nm)/BCP(3nm)/CBP:Glrl(14%):R-4b(2%)(20nm)/TCTA(10nm)/NPB(40nm)/MoO3(40nm)/A1(100rim),wherethethicknessofelectroninjectionlayerA1(x)are0nm,2nm,3nm,4nmand5nm,respectively.Inthispaper,theelectroninjectionconditionandluminancepropertiesofinverteddeviceswereinvestigatedbychangingthethicknessofA1layerinAFLiFcompoundthinfilm.ItturnsoutthattheintroductionofA1layercanimproveelectroninjectionofthedevicesdramatically.Furthermore,thedeviceexertslowerdrivingvoltageandhighercurrentefficiencywhenthethicknessofelectroninjectionA1layeris3nm.Forexample,thecurrentefficiencyofthedevicewith3-urn-thickA1layerreaches19.75cd·A^-1whendrivingvoltageis7V,whichis1.24,1.17and17.03timeslargerthanthoseofthedeviceswith2nm,4nmand5nmA1layer,respectively.Thedevicepropertyreachesuptothelevelofcorrespondingconventionaldevice.Inaddition,allin-verteddeviceswithelectroninjectionA1layershowsuperiorstabilityofcolorcoordinateduetotheadoptionofco-evaporationemittinglayerandBCPspacer-layer,andthecolorcoordinateoftheinverteddevicewith3-nm-thickAIlayeronlychangesfrom(0.5806,0.4056)to(0.5328,0.4363)whendrivingvoltageincreasesfrom6Vto10V.
简介:摘要本文从HJ集团人力资源管理信息系统建设的实践出发,阐述系统建设的总体方案、主要目标、建设内容、建设方法和主要经验。