简介:为某人制作了非制冷探测器。探测器是基于as0.05sb0.95和as0.09sb0.91厚外延层生长在衬底上通过熔体外延(我)。GE浸没透镜在光导体。截止波长在as0.09sb0.91探测器明显延长至11.5μm,而且在as0.05sb0.95探测器是8.3μ室温,在6.8米和1μ200Hz调制频率波长DλP*峰值探测率为1.08×109厘米·典型/2·W-1为as0.09sb0.91光导型探测器,探测率D*在9μm波长为7.56×108厘米·典型/2·W-1,和11μm是3.92×108厘米·典型/2·W-1。在as0.09sb0.91探测器的探测率在波长长于9μM是一个数量比在as0.05sb0.95探测器高幅度的上升,砷(As)成分增加在as0.09sb0.91材料。
简介:SiGe(硅锗合金)BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。