简介：Al掺杂ZnO（AZO）已被用来作为电子传输和空穴阻挡层倒有机太阳能电池（ioscs）。在本文中，偶氮结构，光学和结构特性和ioscs性能的影响作为一个功能的前驱体溶液浓度为0.1mol/L1mol/L时，我们证明了该装置用0.1mol/L的AZO缓冲层的前驱物浓度提高短路电流和填充因子ioscs同时。由此产生的设备显示，功率转换效率提高了35.6%，相对于1摩尔/升的设备，由于改善的表面形貌和透过率（300-400纳米）的偶氮缓冲层。

简介：文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中，需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响，一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的，要制作低阻值多晶电阻，需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式，进行低阻值的多晶硅薄膜制作，并通过实验，证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

简介：<正>距本刊上一次采访汤昌丹,时间已经过去了17个月。与上次见面相比,汤昌丹脸上依然是笑容可掬,但不同的是在汤昌丹带领下的深圳瑞华泰薄膜科技有限公司(以下简称"瑞华泰")在不经意间"轻舟已过万重山",从当初的创业艰难步入平稳快速发展期。而当初让汤昌丹和瑞华泰声明大噪的"黄金薄膜"——聚酰亚胺薄膜产品,也已经完成第一期项目的建设,3条1200毫米幅宽高性能聚酰亚胺薄膜连续化生产线正式投产,目前达到年生产能力350吨,成为业内首屈一指的龙头企业。而过去的8年中,作为瑞华泰总经理的汤昌丹经历的,却远远不止这些,

简介：对于有机薄膜器件（包括有机电致发光器件（OLED）和有机场效应晶体管（OTFT））,器件的电流机制直接决定了器件的性能,因此深刻理解其相关机理是十分必要的。虽然对于有机薄膜器件的电学性能研究较早,但是由于器件结构及有机薄膜内部影响机制的复杂性使得不同学者的研究结果很不一致。为此,文章以相同的镁银合金（MgAg）为电极,有机电子传输及发光材料八羟基喹啉铝（Alq3）为有机功能层,深入研究了MgAg/Alq3/MgAg器件的电流机制。测试及拟合结果表明,该器件为单电子器件,器件的电流属陷阱电荷限制电流机制。不同温度下的测试结果表明,随着温度增加器件电流迅速增加,这是因为随温度增加,器件中载流子的浓度和迁移率呈指数上升。

简介：薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。

简介：介绍了南开大学在实用Tl和Hg系高温超导薄膜方面的研究工作。在Tl系高温超导研究领域,利用磁控溅射和后退火两步法在LaAlO3（001）衬底上制备出高质量的Tl-1212和Tl-2212超导薄膜,超导临界转变温度Tc分别为92K和106K;在两步法的基础上,利用两次后退火,得到Tl,Bi-1223超导薄膜,超导临界转变温度Tc可以达到110K;同时,利用阳离子置换反应技术,在Tl-1212和Tl-2212超导薄膜基础上得到Hg-1212超导薄膜,利用Tl-2223超导薄膜作为先驱膜,得到Hg-1223超导薄膜,结果显示,Hg-1212和Hg-1223超导薄膜的临界转变温度Tc可分别高达124K和132K。为满足Tl系高温超导薄膜的微波应用需求,分别在LaAlO3、蓝宝石、氧化镁（MgO）衬底上制备出2英寸双面Tl-2212超导薄膜,该超导薄膜具有均匀的超导特性,薄膜超导特性优良,为制备高温超导微波无源器件提供了基础。

简介：<正>稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料,二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注的科学问题。与绝缘体纳米晶相比,半导体纳米晶的激子玻尔半径要大得多,因此量子限域效应对掺杂半导体纳米晶发光性能的影响变得很显著,从而有可能通过尺寸调

简介：一个主要的挑战在GAN型太阳能电池的设计是孔的缺乏与多量子威尔斯电子相比（多量子阱）。我们发现，GaN基量子阱光电器件具有五种不同Mg掺杂浓度的0时，5×1017cm-3，2×1018cm-3，4×1018cm-3和7×1018cm-3的GaN障碍可导致量子威尔斯不同的空穴浓度（量子阱）。然而，当Mg掺杂浓度超过1×1018cm-3，晶体质量下降，从而导致外量子效率的降低（EQE），短路电流和开路电压。作为一个结果，一个轻微的Mg掺杂5×1017cm-3的具有最高的转换效率浓度的样品。

简介：摘要镧系磷酸盐及其掺杂体系在实际生产、生活中有着广泛的应用，研究和改进其性能以及结构以及其宏观性能内在联系，具有重要的意义。同时，随着新的学科分支--计算材料科学不断发展，国内外研究者利用各种计算手段对镧系磷酸盐及其掺杂体系进行探索和研究，并取得了一定的进展和成果。

简介：<正>美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10´10mm-2和18´18mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n型氮化镓衬底的电阻率小

简介：文中采用磁控溅射方式在铁氧体基片上制备了微带隔离器的多层膜结构。通过带金属掩模版溅射电阻层,避免了对薄膜电阻的光刻和刻蚀;通过使用铜靶和湿法刻蚀,克服了对溅射用金靶、反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖。该新型工艺方法简化了镍铬薄膜电阻的制作,降低了薄膜电路的制造成本,可应用于集成电阻的薄膜电路基板的研制。

简介：Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性，器件和制程又可与SL工艺兼容，采用Si1-x-yGexCy及其Si1-x-yGexCy/Si结所制作出来的器件如异质结双极晶体管（HeterojunctionBipolarTransistor，HBT），其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平，而且在成本上低于GaAsHBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料。文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索，在总结大量数据的基础上，验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性。同时，文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响。

简介：由中欧新能源委员会发起主办的"第二届中欧国际太阳能光伏产业发展论坛"于2010年8月12-13日在上海隆重举行。会议的主题是"倡导低碳经济,推进新能源可持续发展",强生集团董事长沙晓林先生在会上作了"薄膜电池抢占光伏发电平价上网先机"报告,受到与会者一致好评,本刊特派记者进行了现场录音并加以整理,以飨读者。

简介：利用热氧化法,在紫外线光源催化作用下,在N型硅衬底上沉积氧化镍（NiO）薄膜,制备具有半导体特性的NiO/Si异质结二极管。使用JASCONRS-3100测量薄膜拉曼散射频谱,分析不同氧化时间、不同紫外线光源、不同退火条件对NiO薄膜性能的影响。实验结果表明：氧化时间为60min时,金属Ni能够充分氧化;含臭氧水银灯比金属卤化物灯更有助于金属Ni的氧化反应;氮气下退火30min,有助于消除晶格损伤,改善薄膜特性。通过PhillipsX’Pert衍射仪分析NiO薄膜的晶体结构,KeysightB1500A半导体参数测量仪测量NiO/Si二极管的I-V特性,当二极管两端电压分别为2V和-2V时,电流密度相差3个数量级,表现出良好的整流特性。

简介：信息对人类的发展有非常重要的作用,21世纪是信息时代.随着信息技术的发展,对显示技术和显示器件提出了越来越高的要求.平板显示技术是本世纪最有发展前途的显示技术之一,平板显示具有十分突出的优点,在于它全固态、无真空、驱动电压低、视角广、耐恶劣环境等,薄膜电致发光器件具有平板显示技术的特点.本文针对无机薄膜电致发光的原理、目前获得蓝光所遇到的问题及可能的解决方案进行了深入探讨.

简介：

简介：采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜,制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态,抗电强度超过700V/μm,阳极氧化铝抗电强度达75V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化铝膜约1μm时,制备的复合封装基板击穿电压超过1350V,绝缘电阻率1.7×106MΩ·cm,氮化铝与铝板的结合强度超过8MPa;阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题,在260℃热冲击下,铝板未发生形变,氮化铝膜未破裂,电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率,当该复合基板应用于LED芯片COB封装时,有助于提高封装光效。

简介：传统的角度调谐薄膜滤波器具有较低的间隔有效折射率的严重的角度灵敏度，它是难以制造的角度控制系统。在本文中，我们提出并制备了一种新型100GHzangletuned滤光片堆栈的低角度的敏感性，采用高折射率材料TiO2为间隔，其入射角可扩大到25°。与传统的ta2o5-sio2薄膜滤波器组相比，新型的堆叠层数少。使用偏振分束器和半波片，角度的偏振灵敏度调谐滤波器可以抑制。仿真结果和实验结果表明，与低角度敏感薄膜滤波器有一个有效的调谐范围为33nm，可以覆盖整个C波段，其角度控制系统易于制作。

简介：日前,我国首台代表着国际尖端技术水平的薄膜太阳能电池关键生产设备——等离子体增强型化学气相沉积设备(PECVD)在上海理想能源设备公司正式下线。消息传来,引起业内高度关注,有专家指出,该设备的研制成功和下线,填补了光伏电池高端设备国产化的空

简介：Dy3＋/Eu3＋共掺杂的立方格子NaYF4单晶在~Φ×1厘米大小为10厘米高质量的改进布里奇曼法用氟化钾（KF）作为助熔剂生长。射线衍射（X射线衍射），吸收光谱，激发光谱和发射光谱测量的晶体的相位和发光性能的晶体。分析了激发波长和Dy3＋和Eu3＋离子浓度对发光特性的影响。NaYF4单晶的掺杂摩尔浓度的1.205%和0.366%的Eu3＋，Dy3＋具有优良的白色发光的色度坐标x=0.321，y=0.332。这表明Dy3＋/Eu3＋共掺的立方格子NaYF4单晶可以潜在的发光材料的紫外（UV）光激发的白光发光二极管（LED）。