简介：环氧塑封料（EpoxyMoldingCompound）是一种半导体封装用电子材料，主要应用于半导体器件和集成电路芯片的封装文章主要是通过对环氧塑封料的发展历程、典型技术和制造工艺，以及国内外发展状况和市场应用等方面的研究，对全球的环氧塑封料的发展状况进行浅析。文章特别提到有关绿色环保塑封料的应用情况。

简介：环氧模塑料（EMC）作为半导体产业的三大基材之一，其性能对成品器件、IC品质至关重要。凝胶化时间（GT）和螺旋长度（SF）是环氧模塑料的两个基本性能表征指标，直接决定封装工艺参数选择范围，而温度对其影响极大。制备过程、存贮、回温（Thawing）及模压（Molding）等系列工序的操作及环境温度，对EMC的综合性能有着不同程度的影响。不恰当的温度可能会导致模压操作性不良、封装体缺陷及半导体器件（电路）的成品性能下降或失效。文章重点阐述温度对EMC使用、半导体成品性能的影响。

简介：文章主要介绍了封装过程中的几个重要工艺参数，分别探讨了不同的工艺条件对环氧塑封料成型工艺的影响，并介绍了封装过程中的工艺调整方向，同时介绍了在环氧塑封料的选择中必须考虑的几个重要因素，并论述了这几个因素对封装器件可靠性造成的影响。

简介：基于终端客户在产品应用面对信赖性及可靠性要求越来越高的情况,开发出一种绿色环保环氧塑封料EMC-GTR,满足高导热及高可靠封装要求,用其封装的器件通过了AEC-Q101-REV-C《基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理》考核。

简介：本文着重介绍了蒸汽加氧吹洗新技术的原理及应用情况.该方法具有创造性、新颖性和实用性.解决了基建炉过热器、再热器的酸洗难题,并能在金属表面形成致密的保护膜,是提高我国吹管技术管理水平,提高水汽品质的一种有效方法.能确保机组在投产后安全、经济地运行,延长锅炉的使用寿命.如在全国范围内大力推广应用,其社会经济效益显著.

简介：采用模压成形制备预制件，经真空-压力浸渗后成功制备出带金属密封环的A1SiC管壳，评价了带密封环的A1SiC管壳的性能当磷酸铝含量为1．2％，成形压力为200MPa，800℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为12．4MPa，孔隙率为37％。A1SiC电子封装材料在100℃～500℃区间的热膨胀系数介于（6．52-7．43）×106℃^-1，热导率为160W·m^-1·K^-1，抗弯强度为380MPa，漏率小于1．0×10^-9Pa·m^3·s^-1、无任何约束条件下，A1SiC管壳升温至450℃．恒温90min，然后随炉冷却，密封环为铝合金的管壳明显变形，与有限元分析结果相符，而密封环为4J45的管壳基本朱变形。4J45密封环与铝合金扩散形成（Fe，Ni）Al3，但4J45密封环与A1SiC壳体间界面结合不紧密，导致A1SiC管壳漏率大于1×10^-8Pa·m^3·s^-1。

简介：采用耦合模理论,推导了环型谐振器的传输函数,分析了环型腔内功率的谐振加强特性,并在推导的非线性环型谐振器开关曲线的具体表达式基础上,指出损耗和耦合系数对开关特性的影响,数值模拟了非线性环型谐振器对不同输入功率Gauss脉冲的开关特性.

简介：三氯氢硅（SiHCl3）作为硅外延片的关键原材料，其纯度直接影响着硅外延层的性能。一般三氯氢硅纯度的测试方法有两种，除采用化学分析方法测试外，通常用生长不掺杂外延层（本征外延层）的方法来确定。即采取测量三氯氢硅生长后的硅外延本征电阻率的方法来衡量其纯度。而影响硅外延本征电阻率的主要因素为系统的自掺杂，增加硅外延的生长时间可以有效抑制系统自掺杂，但无限制的增加生长时间必然导致生产成本的增加。文中通过实验数据，确定了一个合理的硅外延本征生长工艺过程，从而达到了评价三氯氢硅纯度的目的。

简介：在本文中，一个微环谐振器（MRR）采用双串联谐振环系统提出并探讨拉比振荡。该系统是由绝缘体上硅和连接到总线波导，它是用作传播和振荡介质。散射矩阵的方法来确定输出信号作为二Rabi振荡态之间的输入源，在时间的Rabi振荡频率的增加是在谐振状态下获得的。由于非线性自发辐射过程，激发态的种群概率在光共振态下更高且不稳定。增强的自发辐射可以管理的原子（光子）激发，它可以是有用的原子相关的传感器和单光子源应用。

简介：摘要：燃气轮机在能源行业和工业领域中其性能和可靠性直接关系到能源供应和生产效率。而一级护环冷却是确保燃气轮机正常运行和延长其使用寿命的关键部分。本文旨在深入探讨燃气轮机一级护环冷却方式的分类、特点以及改进策略，以期为燃气轮机工程提供有价值的研究参考。

简介：在当前的高速光通信系统中,光源的选择至关重要.本文在考虑耦合损耗的条件下,分析了光纤环镜(NALM)的非线性传输特性,论述了利用光纤环激光器锁模产生超短脉冲的原理.

简介：通过对同相正交环的分析,提出了一种数字化曼彻斯特编码的解调方法,完成了10M码率光纤传输的解码处理。这种数字解调方法适合采用FPGA处理,具备抗干扰性好、解码稳定等特点。

简介：认知电子战是未来电子战的一个重要发展方向。基于＂OODA环＂理论,分析了认知无线电、认知雷达和以及典型认知电子战项目的认知原理,并对比赛博战的概念、特征和赛博作战认知过程,分析了认知电子战与赛博战之间的使能关系,探索认知电子战与赛博战的认知内涵。

简介：报道了高双折射光纤Sagnac环镜温度传感特性的实验研究结果,测得环镜的温度灵敏度系数为0.92nm/℃,为光纤布喇格光栅(FBG)温度灵敏系数典型值的89倍.以该环镜作为传感元件,以光纤布喇格光栅的反射谱作为光源,研究了环镜的强度型温度传感特性.在30～45℃的温度变化范围内,环镜透射光强与待测温度的关系具有较好的线性度和重复性,温度分辨率可达0.03℃.

简介：

简介：<正>AnalogDevices,Inc.近日发布三款全新的锁相环(PLL)器件ADF5355/ADF4355-2/ADF4155,其中一款具有业界最宽的频率覆盖范围和最低的压控振荡器(VCO)相位噪声,且在单个器件中实现这些性能。ADF5355PLL具有同类最宽的55MHz至14GHz频谱范围;而ADF4355-2PLL的频谱范围为55MHz至4.4GHz。这些器件可供需要单片高性能宽带频率合成器的RF和微波通信系统

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：设计一种低抖动电荷泵锁相环频率合成器,输出频率为400MHz～1GHz。电路采用电流型电荷泵自举结构消除电荷共享效应,同时实现可编程多种输出电流值。通过具体的频率范围来选择使用的VCO,获得更小的锁相环相位抖动。电路采用0.13μm1.2VCMOS工艺,芯片面积为0.6mm×0.5mm。Hsim后仿真结果显示当输出频率为1GHz时,锁相环频率合成器的锁定时间为4.5μs,功耗为19.6mW,最大周对周抖动为11ps。

简介：11月，为期三天的“2008年环渤海地区电子周（BEW08）”在天津国际展览中心圆满落幕，并大获成功。BEW是著名的NEPCON电子制造系列展会的华北姊妹展，其影响力日渐深远。本届展会受到行业内展商和观众广泛好评，为了未来发展计划奠定了坚实的基础。

简介：在阐述主动锁模掺铒光纤环激光器的锁模原理与锁模脉冲生成机制的基础上,进一步论述了阻碍主动锁模掺铒光纤环激光器实用化的两种稳定性问题,并提出了一些相应的解决方案.