简介:目前,在移动宽带无线接入领域颇具影响的主要有无线城域网(WMAN,WirelessMetropotionAreaNetwodks)IEEE802.16e、移动宽带无线接入(MBWA,MobileBroadhandWuelessAccess)IEEE802.20和无线区域网络(WRAN,WirelessReginalAreaNetworks)IEEE802.22,以及第一代至第三代蜂窝移动通信系统(3G)等。本文在介绍IEEE802.16e,802.20和802.22标准的技术特点及其主要应用范围的基础上,将其与3G系统进行对比。
简介:NMOS管I-V曲线在ESD(electrostaticdischarges)脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。