简介：本文通过巧妙地调节LiNbO3调制器的偏置电压,利用两个调制器实验得出占空比分别为33%和50%的归零(RZ)码、占空比66%的载波抑制归零(CSRZ)码,并利用这几种码型分别测出偏振度(DOP)与差分群时延(DGD)之间的关系.结果证实CSRZ码的DOP的变化范围较大,在抑制偏振模色散方面较优越.

简介：随着电子封装集成度的不断提高，集成电路的功率容量和发热量也越来越高，封装体内就产生了越来越多的温度分布以及热应力问题。文章建立了基板-粘结层-硅芯片热应力分析有限元模型，利用有限元法分析了芯片／基板的热应力分布，封装体的几何结构参数对应力的影响，重点讨论了芯片与粘结层界面上和基板与粘结层界面上的层间应力分布。

简介：<正>中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这一突破有望缓解中国的能源危机。泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极管产品鉴定会暨新产品信息发布会近日在北京举行。鉴定委员会认为该公司的量产

简介：文中采用传统的表面贴装技术进行焊接，研讨μBGA的PCB装配及可靠性。弯曲循环试验（1000με～-1000με），用不同的热因数（Qη）回流，研究μBGA、PBGA和CBGA封装的焊点疲劳失效问题。确定液相线上时间，测定温度，μBGA封装的疲劳寿命首先增大，接着随加热因数的增加而下降。当Qη接近500s·℃时，出现寿命最大值。最佳Qη范围在300s·℃～750s·℃之间，此范围如果装配是在氮气氛中回流，μBGA封装的寿命大于4500个循环。采用扫描电子显微镜（SEM），来检查μBGA和PBGA封装在所有加热因数状况下焊点的失效。每个断裂接近并平行于PCB焊盘，在μBGA封装中裂纹总是出现在焊接点与PCB焊盘连接的尖角点，接着在Ni3Sn4金属间化合物（IMC）层和焊料之间延伸。CBGA封装可靠性试验中，失效为剥离现象，发生于陶瓷基体和金属化焊盘之间的界面处。