简介：本刊记者徐兆荣从信息产业部电子行业节能工作会议获悉,部1999年电子行业节能工作的安排如下:

简介：Al掺杂ZnO（AZO）已被用来作为电子传输和空穴阻挡层倒有机太阳能电池（ioscs）。在本文中，偶氮结构，光学和结构特性和ioscs性能的影响作为一个功能的前驱体溶液浓度为0.1mol/L1mol/L时，我们证明了该装置用0.1mol/L的AZO缓冲层的前驱物浓度提高短路电流和填充因子ioscs同时。由此产生的设备显示，功率转换效率提高了35.6%，相对于1摩尔/升的设备，由于改善的表面形貌和透过率（300-400纳米）的偶氮缓冲层。

简介：RC821型双台车电阻炉尽管生产效率较高,然而热能未充分利用。本文介绍了对其附件的改造及利用,提高了装炉量,降低单耗,方法简单易行,效果非常显著。

简介：采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜,制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态,抗电强度超过700V/μm,阳极氧化铝抗电强度达75V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化铝膜约1μm时,制备的复合封装基板击穿电压超过1350V,绝缘电阻率1.7×106MΩ·cm,氮化铝与铝板的结合强度超过8MPa;阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题,在260℃热冲击下,铝板未发生形变,氮化铝膜未破裂,电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率,当该复合基板应用于LED芯片COB封装时,有助于提高封装光效。

简介：<正>问题的提出笔者在制造一台高压冲击电流发生器(波形为10/310μs,10/1000μs)时,脉冲的重复周期为1s、2s、3s、4s、5s、6s……20s可调,脉冲的极性要求是正负可变和输出正负极性相间的脉冲。需要一个开关,电路如图1所示,对这个开关的要求是断路时承受全部高压,通路时电流变化率要快,流通电流约100App。

简介：在亚微米的半导体生产制造技术中，二氧化硅工艺中的颗粒污染会造成漏电流形成击穿电压，已经成为产品良率的主要影响因素。文章主要针对目前市面上流行的TELAlpha-8SE的立式APCVD二氧化硅炉管制造工艺中所遇到的颗粒污染问题进行研究。通过大量的对比性实验，进行排查与分析，并利用各种先进的实验设备和器材，炉管、高倍度电子扫描设备、先进的光学仪器和缺陷分析设备等，找到产生颗粒污染的原因，并且找到解决问题的方案。在减少机台停机时间的同时，提高了机台的使用率，而且改善了颗粒污染的状况，最终获得良率的提升，优化了制造工艺。

简介：最近几年,许多美国工厂开始摒弃传统的溶剂清洗,转用水基清洗,以求尽可能减少可挥发性物质和有害物质向自然环境的排放量.尽管这一生产工艺的转变确实减少了有害物质的排放量,收到了巨大的环境效益;但是随之而来的能耗上升也不容忽视,并且能耗上升也是一个独特的污染问题.

简介：想必您在看我们10月刊的时候会发现这样一个很明显的问题，杂志的小版有一部分文字被遮住了！给您阅读所造成的不便，我们深感抱歉。同时，这也引起了我们的深深思考，所以我们做出了这一期的调查档案，对这一问题进行详细的分析。

简介：LED是一种将电能转换为光能的半导体固态发光器件。其电光转换的机理是，在某些半导体材料的PN结中，载流子在电势差作用下循环往复地移动，当空穴和电子相遇而产生复合，电子会跌落到较低的能阶，同时以光子的方式释放出能量，从而把电能转换为光能。LED用于节能照明，它比传统的电阻发热、电弧惰性气体反应、荧光放电等光源，相同功效下其额定电压更低工作电流更小性能更稳定。LED可以产生各种单色光及多基色复合日光，这种照明产品就是利用LED作为光源制造出来的照明器具。

简介：本文论述影响超声清洗设备清洗溶剂的挥发浓的因素，并提出降低清洗溶剂的挥发浓度一些方法。

简介：为了满足对直流电流进行检测的同时实现对电流信号缩小的需要,设计了一款电流检测电路,采用CSMC0.5μm120VBCD工艺。不同于传统电流检测电路,该电路直接对电流信号进行处理,输出具有较好的线性度,同时对输入信号基本无影响,并且电路结构较为简单,能够较好地满足IP核应用的需要。通过仿真验证以及流片、测试,证明该电路具有良好的功能性。文中同时给出该电路IP数据提取过程以及后续电路。

简介：对于有机薄膜器件（包括有机电致发光器件（OLED）和有机场效应晶体管（OTFT））,器件的电流机制直接决定了器件的性能,因此深刻理解其相关机理是十分必要的。虽然对于有机薄膜器件的电学性能研究较早,但是由于器件结构及有机薄膜内部影响机制的复杂性使得不同学者的研究结果很不一致。为此,文章以相同的镁银合金（MgAg）为电极,有机电子传输及发光材料八羟基喹啉铝（Alq3）为有机功能层,深入研究了MgAg/Alq3/MgAg器件的电流机制。测试及拟合结果表明,该器件为单电子器件,器件的电流属陷阱电荷限制电流机制。不同温度下的测试结果表明,随着温度增加器件电流迅速增加,这是因为随温度增加,器件中载流子的浓度和迁移率呈指数上升。

简介：文章主要介绍氮化铝陶瓷基片生产的关键技术。重点研究了原材料控制、氮化铝基片配方、成型工艺、烧结技术、磨抛技术等五个方面的因素对氮化铝陶瓷基片生产的影响以及解决措施。通过研究发现添加3％左右的Y2O3作为烧结助剂，同时采用低温段缓慢升温的方法可以极大地提高氮化铝陶瓷基片的烧成质量。我们的研究，优化了生产工艺，提高了氮化铝陶瓷基片的质量和生产的成品率。

简介：摘要本文设计了一种非接触式电流检测装置。本装置采用STM32作为主控，MPS430为控制器，由漆包线绕锰芯磁环电流传感器，用OPA657芯片制作电流转电压电路将电流转换成电压，再用STM32自带AD模块对产生的电压信号进行采集，使用FFT快速傅里叶变换，将信号离散化。此电流检测分析电路可测电流峰峰值范围为10mA~1A，电流测量精度优于5%，频率测量精度优于1%。

简介：在传统参考电流源的基础上,设计了一种结构更为简单,与电源电压、温度无关的参考电流源,并在此基础上进一步优化了自偏置电路镜像电流的精度,更好地提高整个电路的性能。该电路基于SMIC0.18μmBCDCMOS工艺,使用Cadence仿真软件进行电路仿真。结果表明,在-55~125℃的温度范围内,该电路的输出电流变化不超过3%,并且优化后的电流源镜像精度也得到了大幅度的提高。

简介：V型槽侧面耦合是目前双包层光纤抽运光耦合的方法之一。本文提出了一种二透镜光学系统的耦合模型，并利用几何光学的ABCD矩阵分析和计算了透镜焦距与激光二极管阵列（LD—Arrays），透镜，双包层光纤（DCF）三者之间间距的关系，同时通过计算确定了V型槽所开的最佳角度。通过数值模拟计算发现透镜焦距的选取在很小范围内会引起两透镜间距的剧烈变化而且激光二极管与透镜的间距以及两透镜间的间距主要取决于靠近激光二极管那个透镜的焦距大小。本文的分析和计算对V型槽侧面抽运的光学耦合系统中透镜焦距的选取以及LD，透镜，DCF三者之间间距的设置的最优化提供了理论指导。

简介：模拟电路工作在低电源电压下是集成电路小型化和低功耗要解决的首要难题,而基准电流源电路是模拟电路中最常用的模块。因此,低压基准电流源电路对集成电路低功耗设计具有重要意义。描述了一种在0.13μm、1.2VCMOS工艺下实现的基准电流源电路,后仿真结果表明,电路能够在1.2V电源电压下工作,功耗380μW,温漂值为15×10-6·℃-1。

简介：随着电力事业的发展，电能质量问题得到了越来越多的关注。为了在电能质量装置的设计实验阶段就详细分析和解决其在实际电网中可能遇到的各种问题，设计一种性能良好、可靠且功能多样化的扰动装置就成为必然的需求。文中介绍一种电压等级10kV，容量3MVA的电流扰动装置，主要用于模拟真实电网系统的各种电流环境。装置前端采用单位功率因数的全桥全空整流器，级联H桥拓扑用于产生所需的各种类型电流扰动源。文章着重介绍了装置各项参数的详细设计计算方法，并介绍了基于matlab／simulink的仿真结果，同时证明了文中所提出的设计方法的可行性和该装置投入使用的可行性。

简介：探讨了多种氧气浓度的测量方法,基于微米尺寸悬膜电阻和热传导原理设计了一种新型的热导式氧气浓度测量方法。使用精细微机械加工的悬膜电阻,使得关键元件功耗和成本大为降低。经过仿真模拟和初步实验验证,热导式微型氧气传感器可精确检测较高的氧气浓度。

简介：在高速光通信系统中,接收端收到的光信号脉冲强度随通信距离、光纤损耗等因素变化,因此需要检测平均光电流,以确定接收端光功率,对应调整放大器增益,实现不同通信距离情况下光信号的高速接收,避免放大器饱和或者增益不足的情况。提出一种光接收电路中平均光电流检测电路的设计。通过运放钳位光电二极管阴极和采样电路,实现对平均光电流的采样与输出。为克服随机失调对采样精度带来的影响,在运放设计中采用了OOS[1](输出失调存储,OutputOffsetStorage)技术,通过采保电路存储输出失调电压,并对应产生失调电流补偿输出失调电流,实现了失调电压的消除,保证了电流采样精度。所提出的平均光电流检测电路采用0.18μmCMOS工艺进行设计。测试结果表明,在1.25Gbps的通信速率下,实现了7.5%的平均光电流采样精度。